镓特半导体科技(上海)有限公司王颖慧获国家专利权
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龙图腾网获悉镓特半导体科技(上海)有限公司申请的专利低翘曲的衬底结构、半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114743861B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210240338.9，技术领域涉及：H10P14/20；该发明授权低翘曲的衬底结构、半导体结构及其制备方法是由王颖慧;罗晓菊;裴卫江设计研发完成，并于2022-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本低翘曲的衬底结构、半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种低翘曲的衬底结构、半导体结构及其制备方法。本申请提供的低翘曲的衬底结构的制备方法包括：提供氮化镓衬底；在预设生长条件下，于氮化镓衬底的背面形成第一膜层，以使得第一膜层产生与所述氮化镓衬底内的内应力方向相反的张应力，第一膜层的热膨胀系数小于氮化镓衬底的热膨胀系数；于第一膜层远离氮化镓衬底的表面形成第二膜层，第二膜层的热膨胀系数大于氮化镓衬底的热膨胀系数。本申请提供的低翘曲的衬底结构的制备方法能够抵消衬底结构由于氮化镓衬底的内应力而导致的翘曲，降低衬底结构由于翘曲而形成的碗装内凹，降低后续进行器件制程和或芯片制程的难度，并使得衬底结构在后续工艺步骤中不受温度的影响。
本发明授权低翘曲的衬底结构、半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低翘曲的衬底结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供氮化镓衬底，所述氮化镓衬底生长过程中位错形成的内应力，导致所述氮化镓衬底翘曲形成碗状内凹； 于所述氮化镓衬底的背面形成第一膜层，所述第一膜层的张应力方向与所述氮化镓衬底的内应力方向相反，所述第一膜层的热膨胀系数小于所述氮化镓衬底的热膨胀系数； 于所述第一膜层远离所述氮化镓衬底的表面形成第二膜层，所述第二膜层的热膨胀系数大于所述氮化镓衬底的热膨胀系数，使得所述第一膜层及所述第二膜层整体的热膨胀系数与所述氮化镓衬底的热膨胀系数相近，以确保制备得到的衬底结构在后续工艺步骤中不受温度的影响。
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