爱思开海力士有限公司李熙烈获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利半导体存储器装置及其操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114141289B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110515945.7，技术领域涉及：G11C11/4074；该发明授权半导体存储器装置及其操作方法是由李熙烈设计研发完成，并于2021-05-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器装置及其操作方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体存储器装置及其操作方法。一种半导体存储器装置包括存储器串和控制逻辑。存储器串连接在公共源极线和位线之间，并且包括至少一个第一选择晶体管、多个存储器单元和多个第二选择晶体管。控制逻辑被配置为在擦除操作期间向分别连接到多个第二选择晶体管的多条第二选择线中的第一组施加第一电压，使多条第二选择线中的第二组浮置，然后向公共源极线施加擦除电压。
本发明授权半导体存储器装置及其操作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括： 存储器串，该存储器串连接在公共源极线和位线之间，并且包括至少一个第一选择晶体管、多个存储器单元和多个第二选择晶体管；以及控制逻辑，该控制逻辑被配置为在擦除操作期间向分别连接到所述多个第二选择晶体管的多条第二选择线当中的第一组施加第一电压，使所述多条第二选择线当中的第二组浮置，然后向所述公共源极线施加擦除电压，其中，随着所述擦除电压被施加到所述公共源极线，所述多条第二选择线当中的所述第二组的电压通过耦合而增加。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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