昭和电工株式会社松井一真获国家专利权
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龙图腾网获悉昭和电工株式会社申请的专利干蚀刻方法、半导体元件的制造方法和清洁方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114126731B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180003519.3，技术领域涉及：H10P50/28；该发明授权干蚀刻方法、半导体元件的制造方法和清洁方法是由松井一真设计研发完成，并于2021-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本干蚀刻方法、半导体元件的制造方法和清洁方法在说明书摘要公布了：提供不使用等离子体就能够蚀刻含有铜的蚀刻对象物的干蚀刻方法。一种干蚀刻方法，具备干蚀刻工序，干蚀刻工序使含有卤素氟化物的蚀刻气体与具有蚀刻对象物的被蚀刻构件12接触，不使用等离子体地对蚀刻对象物进行蚀刻，卤素氟化物是溴或碘以及氟的化合物，蚀刻对象物是由蚀刻气体进行蚀刻的对象。蚀刻对象物含有铜。另外，在140℃以上且300℃以下的温度条件下实行干蚀刻工序。
本发明授权干蚀刻方法、半导体元件的制造方法和清洁方法在权利要求书中公布了：1.一种干蚀刻方法，具备干蚀刻工序，该干蚀刻工序使含有卤素氟化物的蚀刻气体与具有蚀刻对象物的被蚀刻构件接触，不使用等离子体地对所述蚀刻对象物进行蚀刻，所述卤素氟化物是五氟化溴和七氟化碘中的至少一者，所述被蚀刻构件具有非蚀刻对象物和所述蚀刻对象物，所述非蚀刻对象物不是由所述蚀刻气体进行蚀刻的对象，所述蚀刻对象物是由所述蚀刻气体进行蚀刻的对象，所述蚀刻对象物含有铜，所述非蚀刻对象物是选自氧化硅、光致抗蚀剂和无定形碳中的至少一种，在140℃以上且300℃以下的温度条件下实行所述干蚀刻工序，与所述非蚀刻对象物相比选择性地蚀刻所述蚀刻对象物。
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