南亚科技股份有限公司蔡镇宇获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利内存元件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121958B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110972719.1，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权内存元件及其形成方法是由蔡镇宇设计研发完成，并于2021-08-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本内存元件及其形成方法在说明书摘要公布了：一种内存元件包括基板、导线、电容器、晶体管与接触结构。导线位于基板的周边区域上。电容器位于基板的内存区域上。晶体管位于电容器上且连接至电容器，且包括第一及第二源极汲极区域、通道与闸极结构。第一源极汲极区域连接至电容器。闸极结构侧向围绕通道。接触结构位于基板的周边区域上，且包括底部分、顶部分与中间部分。底部分连接至导线。顶部分连接至晶体管的第二源极汲极区域。中间部分宽于顶部分与底部分，其中接触结构的中间部分的高度与晶体管的闸极结构的高度实质相同。借此，本揭露的内存元件，可以增加接触面积与降低电阻，从而改善内存元件的效能。
本发明授权内存元件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种内存元件，其特征在于，包含： 基板，具有内存区域与周边区域； 导线，位于该基板的该周边区域上； 电容器，位于该基板的该内存区域上； 晶体管，位于该电容器上且连接至该电容器，该晶体管包含： 第一源极汲极区域与第二源极汲极区域，其中该第一源极汲极区域连接至该电容器； 通道，位于该第一源极汲极区域与该第二源极汲极区域之间；以及闸极结构，侧向围绕该通道； 接触结构，位于该基板的该周边区域上，该接触结构包含： 底部分，连接至该导线； 顶部分，连接至该晶体管的该第二源极汲极区域；以及中间部分，宽于该顶部分与该底部分，其中该接触结构的该中间部分的高度与该晶体管的该闸极结构的高度实质相同；以及位元线，位于该接触结构的该顶部分与该晶体管的该第二源极汲极区域上，并且接触于该接触结构的该顶部分与该晶体管的该第二源极汲极区域，其中该位元线从该接触结构的该顶部分延伸到该晶体管的该第二源极汲极区域，且该接触结构的该顶部分与该晶体管的该第二源极汲极区域分开。
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