北京大学王宗巍获国家专利权
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龙图腾网获悉北京大学申请的专利一种跨导可变场效应晶体管阵列及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113964121B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111208889.9，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权一种跨导可变场效应晶体管阵列及应用是由王宗巍;鲍霖;蔡一茂;凌尧天;杨韵帆;单林波;鲍盛誉;黄如设计研发完成，并于2021-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种跨导可变场效应晶体管阵列及应用在说明书摘要公布了：本发明公布了一种适用于树突网络硬件的跨导可变场效应晶体管阵列及应用，属于半导体集成电路技术领域。本发明基于单个跨导可变场效应晶体管实现存储变量与两个输入变量的三元素乘法，并基于互补器件阵列实现了树突网络核心算法的映射。相比于利用神经元激活电路实现非线性变换的传统神经网络硬件，本发明利用器件的本征非线性实现非线性变换，有效降低了设计复杂性，优化了系统外围电路的面积和功耗，对高性能人工智能计算系统的设计具有重要意义。
本发明授权一种跨导可变场效应晶体管阵列及应用在权利要求书中公布了：1.一种跨导可变场效应晶体管阵列的运算方法，其特征在于，所述跨导可变场效应晶体管阵列由多个跨导可变场效应晶体管连接形成，所述跨导可变场效应晶体管包括金属栅电极、金属氧化物材料介质层、化合物半导体有源层、金属源电极、金属漏电极和钝化层，同一行跨导可变场效应晶体管的漏电极由字线相连接；同一行跨导可变场效应晶体管的源电极由源线相连接，同一列跨导可变场效应晶体管的栅极由位线相连接；单个跨导可变场效应晶体管完成其存储信息与两输入信息之间的三元乘积计算，电流汇入源线实现电流加和，其中： 当源线电位被钳制为0V时，每一条源线上的电流由式1所示； 1存储矩阵W先与输入向量VBL做内积，得到的结果再与另一输入向量VWL做元素积，最终得到源线的电流向量ISL，上述运算的矩阵形式如式2所示： 2树突网络核心迭代如式3所示： 3将ISL、W、VBL和VWL与网络中Ai+1、W、Ai和A0做一一映射，即可实现单层树突网络的运算。
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