锐石创芯(重庆)微电子有限公司黄浈获国家专利权
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龙图腾网获悉锐石创芯(重庆)微电子有限公司申请的专利一种芯片封装结构、射频前端模组及电子设备获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223912873U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202423323498.3,技术领域涉及:H10W74/10;该实用新型一种芯片封装结构、射频前端模组及电子设备是由黄浈;史海涛;倪建兴设计研发完成,并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种芯片封装结构、射频前端模组及电子设备在说明书摘要公布了:本申请属于封装技术领域,特别是涉及一种芯片封装结构,通过设置第一区域中,以所述第一连接点呈45度方向延伸与所述隔离层第一区域轮廓线的两个点相交形成第一线段的长度D与所述第一间隙的高度Hg1g1的关系,更直接地体现隔离层对空腔形成的影响作用,并且相对于隔离层的厚度参数,可以更精准地对整体封装结构的可靠性、小型化和成本进行优化和调整。
本实用新型一种芯片封装结构、射频前端模组及电子设备在权利要求书中公布了:1.一种芯片封装结构,其特征在于,包括: 基板,在第一表面设置有第一焊盘; 防护层,设置在所述基板的第一表面上; 第一封装芯片,设置在所述基板的第一表面上,所述第一封装芯片的底表面与所述防护层形成有第一间隙,所述第一封装芯片的底表面与所述第一表面相对; 第一互连凸块,设置在所述第一封装芯片的底表面上,所述第一互连凸块与所述第一焊盘连接; 隔离层,覆盖所述第一封装芯片和所述防护层,其中,所述隔离层包括临近所述第一间隙的第一区域,所述第一区域中存在第一连接点,以所述第一连接点呈45度方向延伸与所述隔离层第一区域轮廓线的两个点相交形成第一线段,所述第一线段的长度D与所述第一间隙的高度Hg1满足以下关系: 。
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