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龙图腾网获悉杭州昱芯微电子有限公司申请的专利一种适合MOSFET CSP封装的漏极引出端结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223912869U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520395092.1，技术领域涉及：H10W72/00；该实用新型一种适合MOSFET CSP封装的漏极引出端结构是由王西政;蓝有富设计研发完成，并于2025-03-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种适合MOSFET CSP封装的漏极引出端结构在说明书摘要公布了：本实用新型涉及半导体芯片技术领域，具体为一种适合MOSFETCSP封装的漏极引出端结构，包括芯片本体，芯片本体至少包括在竖直方向从下至上连续设置的金属层、外延层、钝化层，且其在水平面投影上划分而成的位于中心位置的MOSFET本体区域和以及环绕MOSFET本体区域设置的漏极外接区域，其特征在于：金属层与MOSFET本体区域上的漏极引出端电连接，漏极外接区域位置的外延层上开设有两个上下贯穿并环形设置的分隔槽，两分隔槽之间的外延层上下贯穿设置有均匀分布的若干贯穿孔；本实用新型先通过金属层与MOSFET本体区域上的漏极引出端电连接，再通过多晶以及金属条将其外接引脚的位置设置在芯片本体正面位置，方便外接电路，同时也减少芯片本体的尺寸面积。

本实用新型一种适合MOSFET CSP封装的漏极引出端结构在权利要求书中公布了：1.一种适合MOSFET CSP封装的漏极引出端结构，包括芯片本体，所述芯片本体至少包括在竖直方向从下至上连续设置的金属层13、外延层14、钝化层15，且其在水平面投影上划分而成的位于中心位置的MOSFET本体区域11和以及环绕MOSFET本体区域11设置的漏极外接区域12，其特征在于：所述金属层13与MOSFET本体区域11上的漏极引出端电连接，所述漏极外接区域12位置的外延层14上开设有两个上下贯穿并环形设置的分隔槽21，两所述分隔槽21之间的外延层14上下贯穿设置有均匀分布的若干贯穿孔22，所述分隔槽21内填充设置有高密度氧化绝缘体17，所述贯穿孔22内填充设置有多晶18，所述高密度氧化绝缘体17上端并位于钝化层15和外延层14之间的位置设置有绝缘块19； 所述多晶18上端并位于钝化层15和外延层14之间的位置固定连接有金属条16，且所述钝化层15上存在一个区域将部分金属条16漏出用以外接引脚。

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