长沙安牧泉智能科技有限公司甘宗保获国家专利权
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龙图腾网获悉长沙安牧泉智能科技有限公司申请的专利一种基于多芯粒局部互连桥的三维堆叠高密度封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223912864U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520141151.2，技术领域涉及：H10W70/62；该实用新型一种基于多芯粒局部互连桥的三维堆叠高密度封装结构是由甘宗保;李雪;蔡信达;宋晓圆;刘振;钱新;滕晓东设计研发完成，并于2025-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于多芯粒局部互连桥的三维堆叠高密度封装结构在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种基于多芯粒局部互连桥的三维堆叠高密度封装结构，至少包括基板、第一芯片层、第二芯片层以及互连桥，基板上设置有多个焊球，第一芯片层的多个芯粒通过焊球与基板键合封装，第二芯片层设置在第一芯片层的上方，互连桥设置在第二芯片层与第一芯片层之间，第二芯片层的芯粒与第一芯片层的对应芯粒通过焊球键合封装，同时通过互连桥形成高密度互连，互连层的线宽线距＜10μmμm。本实用新型通有效提高了互连密度，显著减少了封装尺寸，相比于现有技术来说热膨胀系数失配问题也能够得到改善。
本实用新型一种基于多芯粒局部互连桥的三维堆叠高密度封装结构在权利要求书中公布了：1.一种基于多芯粒局部互连桥的三维堆叠高密度封装结构，其特征在于，至少包括基板、第一芯片层、第二芯片层以及互连桥，所述基板上设置有多个焊球，所述第一芯片层的多个芯粒通过所述焊球与所述基板键合封装，所述第二芯片层设置在所述第一芯片层的上方，所述互连桥设置在所述第二芯片层与所述第一芯片层之间，所述第二芯片层的芯粒与所述第一芯片层的对应芯粒通过所述焊球键合封装，同时通过所述互连桥形成高密度互连，所述互连桥的线宽线距＜10μmμm。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长沙安牧泉智能科技有限公司，其通讯地址为：410000 湖南省长沙市长沙高新开发区岳麓西大道1698号麓谷高层次人才创新创业园C栋二楼东；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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