日月新半导体(威海)有限公司邢振华获国家专利权
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龙图腾网获悉日月新半导体(威海)有限公司申请的专利一种基于高导热垫块的双面散热碳化硅功率模块获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223912859U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520523112.9，技术领域涉及：H10W40/22；该实用新型一种基于高导热垫块的双面散热碳化硅功率模块是由邢振华;田敬鹏;刘欢设计研发完成，并于2025-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于高导热垫块的双面散热碳化硅功率模块在说明书摘要公布了：本实用新型半导体封装技术领域，具体公开了一种基于高导热垫块的双面散热碳化硅功率模块，包括金属化陶瓷基板，所述金属化陶瓷基板由陶瓷绝缘层和其上下表面的金属化导电层构成，碳化硅芯片组工作时产生的热量通过上高导热垫块传递至上散热器，同时通过金属化陶瓷基板和下高导热垫块传递至下散热器，形成双面散热路径，结合高导热的上高导热垫块和下高导热垫块的直接接触传热，热阻降低，散热均匀，散热效果好，热量通过散热翅片表面与空气对流散发，提高散热效果，陶瓷绝缘层为氮化铝材质，导热率和强度高，使用寿命长，金属化导电层为金属铜，导电效果好，上高导热垫块直接接触碳化硅芯片组表面，避免传统焊接层的额外热阻，提高散热效果。
本实用新型一种基于高导热垫块的双面散热碳化硅功率模块在权利要求书中公布了：1.一种基于高导热垫块的双面散热碳化硅功率模块，其特征在于：包括： 金属化陶瓷基板1，所述金属化陶瓷基板1由陶瓷绝缘层10和其上下表面的金属化导电层9构成； 碳化硅芯片组2，所述碳化硅芯片组2焊接于金属化陶瓷基板1的上表面； 上散热单元，所述上散热单元覆盖于碳化硅芯片组2的上方，包括上高导热垫块3和上散热器4，所述上高导热垫块3贴合于碳化硅芯片组2的上表面，所述上散热器4与上高导热垫块3紧密接触； 下散热单元，所述下散热单元位于金属化陶瓷基板1的下方，包括下高导热垫块5和下散热器6，所述下高导热垫块5贴合于金属化陶瓷基板1的下表面，所述下散热器6与下高导热垫块5紧密接触； 封装外壳7，所述封装外壳7包覆于金属化陶瓷基板1、碳化硅芯片组2、上散热单元下散热单元外壁。
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