思恩半导体科技(苏州)有限公司姬臻杰获国家专利权
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龙图腾网获悉思恩半导体科技(苏州)有限公司申请的专利一种充分防护的抗冲击式陶瓷芯片封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223912857U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423038268.2，技术领域涉及：H10W40/22；该实用新型一种充分防护的抗冲击式陶瓷芯片封装结构是由姬臻杰;王文和;邵艺设计研发完成，并于2024-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种充分防护的抗冲击式陶瓷芯片封装结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种充分防护的抗冲击式陶瓷芯片封装结构，其涉及陶瓷芯片封装结构技术领域，旨在解决现有的封装结构表面以及侧边的抗冲击性能有待提高，整体的实用性有待提高的问题，其技术方案要点包括芯片主体，所述芯片主体的对称两侧面上分别安装有第一陶瓷板和第二陶瓷板，所述第一陶瓷板的一侧外表面上一体连接有多个第一凸条，所述第一陶瓷板和第二陶瓷板的四侧边沿处均一体连接有第二凸条，所述第一凸条的对称侧表面上分别设置有一个插槽，所述第一凸条的外部包裹套接有第二橡胶包裹条。达到了能提高表面以及侧边的抗冲击性能，同时各个结构的连接稳定性高，实用性强的效果。
本实用新型一种充分防护的抗冲击式陶瓷芯片封装结构在权利要求书中公布了：1.一种充分防护的抗冲击式陶瓷芯片封装结构，包括芯片主体1，其特征在于：所述芯片主体1的对称两侧面上分别安装有第一陶瓷板4和第二陶瓷板9，所述第一陶瓷板4的一侧外表面上一体连接有多个第一凸条5，所述第一陶瓷板4和第二陶瓷板9的四侧边沿处均一体连接有第二凸条8。
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