星钥半导体(武汉)有限公司陈婷获国家专利权
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龙图腾网获悉星钥半导体(武汉)有限公司申请的专利一种芯片待键合件及芯片键合结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223912815U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422789436.5，技术领域涉及：H10H29/49；该实用新型一种芯片待键合件及芯片键合结构是由陈婷设计研发完成，并于2024-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种芯片待键合件及芯片键合结构在说明书摘要公布了：本实用新型涉及晶圆键合技术领域，特别是涉及一种芯片待键合件及芯片键合结构，从第一表面至第二表面依次包括外延衬底、芯片阵列、导电柱、氧化填充层及键合辅助片层；所述芯片阵列设置于所述外延衬底的表面，而所述键合辅助片层与所述芯片阵列之间通过导电柱连接；所述第一表面及所述第二表面为所述芯片待键合件的一组相对的表面；所述氧化填充层填充于相邻的导电柱之间，及所述芯片阵列中不同的芯片之间；所述键合辅助片层与所述导电柱相连，且所述键合辅助片层在所述外延衬底上的投影面积大于对应的导电柱在所述外延衬底上的投影面积。本实用新型扩大了导电柱在第二表面的端面截面，提升研磨后的表面平整度，提升键合成功率。
本实用新型一种芯片待键合件及芯片键合结构在权利要求书中公布了：1.一种芯片待键合件，其特征在于，从第一表面至第二表面依次包括外延衬底、芯片阵列、导电柱、氧化填充层及键合辅助片层； 所述芯片阵列设置于所述外延衬底的表面，而所述键合辅助片层与所述芯片阵列之间通过导电柱连接； 所述第一表面及所述第二表面为所述芯片待键合件的一组相对的表面； 所述氧化填充层填充于相邻的导电柱之间，及所述芯片阵列中不同的芯片之间； 所述键合辅助片层与所述导电柱相连，且所述键合辅助片层在所述外延衬底上的投影面积大于对应的导电柱在所述外延衬底上的投影面积。
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