虹光精密工业(苏州)有限公司王建智获国家专利权
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龙图腾网获悉虹光精密工业(苏州)有限公司申请的专利发光半导体结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223912808U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520357648.8，技术领域涉及：H10H20/812；该实用新型发光半导体结构是由王建智设计研发完成，并于2025-03-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光半导体结构在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种发光半导体结构，包含基板、阳极电极、磊晶结构、闸极电极及阴极电极；阳极电极设置于基板的下表面，磊晶结构设置于基板的上表面，磊晶结构包含第一P型半导体层、第一N型半导体层、第二P型半导体层、第二N型半导体层及发光层，第一P型半导体层设置于基板的上表面，第一N型半导体层设置于第一P型半导体层上，第二P型半导体层设置于第一N型半导体层上，第二N型半导体层设置于第二P型半导体层上，发光层设置于第二P型半导体层及第二N型半导体层之间。
本实用新型发光半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种发光半导体结构，其特征在于，包含： 基板； 阳极电极，设置于所述基板的下表面； 磊晶结构，设置于作书基板的上表面，包含： 第一P型半导体层，设置于所述基板的上表面； 第一N型半导体层，设置于所述第一P型半导体层上； 第二P型半导体层，设置于所述第一N型半导体层上； 第二N型半导体层，设置于所述第二P型半导体层上；及发光层，设置于所述第二P型半导体层及所述第二N型半导体层之间； 闸极电极，设置于所述第二P型半导体层的上表面；及阴极电极，设置于所述第二N型半导体层的上表面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人虹光精密工业(苏州)有限公司，其通讯地址为：215021 江苏省苏州市工业园区扬泰路9号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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