台湾积体电路制造股份有限公司陈信宏获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利画素矩阵及集成装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223912804U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520071565.2，技术领域涉及：H10F39/12；该实用新型画素矩阵及集成装置是由陈信宏;许文义;余治宽;洪丰基;刘人诚;杨敦年设计研发完成，并于2025-01-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本画素矩阵及集成装置在说明书摘要公布了：本实用新型的各种实施例涉及一种画素矩阵，所述画素矩阵包括：包括第一侧及与第一侧相对的第二侧的衬底；位于衬底中的多个光侦测器，多个光侦测器围绕多个光侦测器之间的中轴对称设置，其中中轴垂直于第一侧及第二侧；位于多个光侦测器之间的中轴处且位于衬底的第一侧的第一掺杂区；位于衬底的第一侧且直接延伸于多个光侦测器的光侦测器之间的前侧深沟槽隔离DTI结构；以及位于衬底的第二侧且将前侧DTI结构与中轴隔开的后侧DTI结构。
本实用新型画素矩阵及集成装置在权利要求书中公布了：1.一种画素矩阵，其特征在于，包括： 衬底，包括第一侧及与所述第一侧相对的第二侧； 多个光侦测器，位于所述衬底中，所述多个光侦测器围绕所述多个光侦测器之间的中轴对称设置，其中所述中轴垂直于所述第一侧及所述第二侧； 第一掺杂区，位于所述多个光侦测器之间的所述中轴处且位于所述衬底的所述第一侧； 前侧深沟槽隔离结构，位于所述衬底的所述第一侧且直接延伸于所述多个光侦测器的光侦测器之间；以及后侧深沟槽隔离结构，位于所述衬底的所述第二侧且将所述前侧深沟槽隔离结构与所述中轴隔开。
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