北京伽略电子股份有限公司孔德磊获国家专利权
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龙图腾网获悉北京伽略电子股份有限公司申请的专利一种芯片静电保护结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223912802U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423253333.3，技术领域涉及：H10D89/60；该实用新型一种芯片静电保护结构是由孔德磊;勇智强;赵显西设计研发完成，并于2024-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种芯片静电保护结构在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种芯片静电保护结构，包括一端与PAD层连接、另一端与被保护器件相连的电阻R1，漏极连接在电阻R1与被保护器件之间、栅极与源极相连后接地的MOS晶体管I2，漏极连接在电阻R1与PAD层之间、源极与管I1源极相连后接地的MOS晶体管I1和一端与管I1栅极相连、另一端与管I1源极相连后接地的电阻R2；管I2的尺寸小于管I1，管I1和管I2的漏极宽度均为8um以上，电阻R1和电阻R2的阻值相同。本实用新型既基于流片制造厂的工艺，又能符合芯片实际尺寸需要和静电保护需要，在保证了静电保护效果的基础上降低了对于芯片面积的占用，可实现HBM静电保护模式2KV以上。
本实用新型一种芯片静电保护结构在权利要求书中公布了：1.一种芯片静电保护结构，其特征在于：包括一端与PAD层连接、另一端与被保护器件相连的电阻R1，漏极连接在电阻R1与被保护器件之间、栅极与源极相连后接地的MOS晶体管I2，漏极连接在电阻R1与PAD层之间、源极与管I1源极相连后接地的MOS晶体管I1和一端与管I1栅极相连、另一端与管I1源极相连后接地的电阻R2； 管I2的尺寸小于管I1，管I1和管I2的漏极宽度均为8um以上，电阻R1和电阻R2的阻值相同。
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