台湾积体电路制造股份有限公司易天昱获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223912800U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520161991.5，技术领域涉及：H10D62/10；该实用新型半导体装置是由易天昱;郭建亿;游明华;李啟弘设计研发完成，并于2025-01-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：本揭示内容的实施方式关于一种具有较低的多个源极漏极区的半导体装置，以减少通道电阻channelresistance,Rchch以及源极漏极接触电阻负载。半导体装置包括半导体基板、半导体通道、磊晶源极漏极区及埋入磊晶层。半导体通道设置在半导体基板的顶表面上方。磊晶源极漏极区连接至半导体通道，其中磊晶源极漏极区包括连接至半导体通道的侧壁以及延伸到半导体基板的顶表面下方的底表面。埋入磊晶层设置在磊晶源极漏极区的下方，其中埋入磊晶层的顶表面与磊晶源极漏极区的底表面符合，埋入磊晶层的顶表面设置在半导体基板的顶表面下方。
本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括： 一半导体通道，设置在一半导体基板的一顶表面上方； 一磊晶源极漏极区，连接至该半导体通道，其中该磊晶源极漏极区包括连接至该半导体通道的一侧壁以及延伸到该半导体基板的该顶表面下方的一底表面；以及一埋入磊晶层，设置在该磊晶源极漏极区的下方，其中该埋入磊晶层的一顶表面与该磊晶源极漏极区的该底表面符合，该埋入磊晶层的该顶表面设置在该半导体基板的该顶表面下方。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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