无锡市查奥微电子科技有限公司何海洋获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡市查奥微电子科技有限公司申请的专利一种多级沟槽的肖特基二极管组件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223912797U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520370766.2，技术领域涉及：H10D8/60；该实用新型一种多级沟槽的肖特基二极管组件是由何海洋;张灯奎设计研发完成，并于2025-03-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多级沟槽的肖特基二极管组件在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种多级沟槽的肖特基二极管组件，属于肖特基二极管领域，包括设置于所述半导体基底顶部的沟槽件，所述沟槽件包括设置于所述半导体基底顶部的外延层，开设于所述外延层顶部的若干组深沟槽，若干组所述深沟槽的内壁均向下开设有子沟槽。该多级沟槽的肖特基二极管组件，通过在深沟槽内壁开设多级阶梯状子沟槽并在其底部设置低掺杂浓度半导体缓冲层，有效减少电场集中，使电场分布更均匀，提高了器件的耐压性能，同时，多级沟槽结构降低了金属与半导体接触界面的电场强度，提高了肖特基势垒高度，减少了反向漏电流，此外，多级沟槽设计减小了JFET效应，优化了电流传输路径，降低了导通电阻，增强了器件的热稳定性和长期工作可靠性。
本实用新型一种多级沟槽的肖特基二极管组件在权利要求书中公布了：1.一种多级沟槽的肖特基二极管组件，其特征在于：包括半导体基底1，以及设置于所述半导体基底1顶部的沟槽件2； 所述沟槽件2包括设置于所述半导体基底1顶部的外延层21，开设于所述外延层21顶部的若干组深沟槽22，若干组所述深沟槽22的内壁均向下开设有子沟槽23，若干组所述子沟槽23的内底壁均设置有缓冲层24，所述外延层21的顶部且位于若干组所述深沟槽22的内部设置有阳极25； 所述沟槽件2还包括设置于所述半导体基底1下方的阴极26、且所述阴极26与半导体基底1相对的一侧之间固定设置有绝缘层27。
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