台湾积体电路制造股份有限公司;台积电(南京)有限公司陈冠蓉获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司;台积电(南京)有限公司申请的专利用于改进的鳍临界尺寸控制的结构和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112447708B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910813994.1，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权用于改进的鳍临界尺寸控制的结构和方法是由陈冠蓉;陈奕志;谢升霖;林景彬;黄智睦设计研发完成，并于2019-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于改进的鳍临界尺寸控制的结构和方法在说明书摘要公布了：本公开涉及用于改进的鳍临界尺寸控制的结构和方法。一种半导体结构，包括：有源半导体鳍，具有第一高度；虚设半导体鳍，与有源半导体鳍相邻，并且具有小于所述第一高度的第二高度；隔离结构，位于有源半导体鳍和虚设半导体鳍之间；以及电介质帽盖，位于虚设半导体鳍上方。电介质帽盖与有源半导体鳍分离。
本发明授权用于改进的鳍临界尺寸控制的结构和方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括： 有源半导体鳍，具有第一高度； 虚设半导体鳍，与所述有源半导体鳍相邻，所述虚设半导体鳍具有小于所述第一高度的第二高度； 隔离结构，位于所述有源半导体鳍和所述虚设半导体鳍之间； 电介质帽盖，位于所述虚设半导体鳍上方，其中，所述电介质帽盖与所述有源半导体鳍分离；以及栅极结构，在所述有源半导体鳍上方延伸，其中所述栅极结构与所述虚设半导体鳍分离，并且其中所述栅极结构接触所述电介质帽盖的侧壁，并且所述电介质帽盖的顶表面没有所述栅极结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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