苏州思铂创半导体科技有限公司闵康获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州思铂创半导体科技有限公司申请的专利一种晶圆旋转扩膜中空结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223899637U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520515544.5，技术领域涉及：H10P72/00；该实用新型一种晶圆旋转扩膜中空结构是由闵康;姚秋林设计研发完成，并于2025-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种晶圆旋转扩膜中空结构在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种晶圆旋转扩膜中空结构，包括转盘件、至少三个限位传动单元，转盘件具有环形边缘；至少三个限位传动单元沿所述转盘件的周向间隔设置，每个所述限位传动单元包括限位圆柱及安装轴，限位圆柱的侧壁上沿周向延伸设有凹槽，所述凹槽形成闭合的环形结构；安装轴沿所述限位圆柱的中轴线穿设于限位圆柱中，所述限位圆柱可绕所述中轴线相对于安装轴枢转；其中，所述转盘件的环形边缘滚动嵌设于所述凹槽的内壁上，且当所述限位圆柱绕所述中轴线枢转时可通过所述凹槽与环形边缘的摩擦力驱动所述转盘件转动。本实用新型解决了现有技术中的晶圆旋转扩膜中空结构在旋转支撑方面存在易震动、噪声大以及结构易晃动的问题。
本实用新型一种晶圆旋转扩膜中空结构在权利要求书中公布了：1.一种晶圆旋转扩膜中空结构，其特征在于，包括: 转盘件，具有环形边缘； 至少三个限位传动单元，沿所述转盘件的周向间隔设置，每个所述限位传动单元包括： 限位圆柱，其侧壁上沿周向延伸设有凹槽，所述凹槽形成闭合的环形结构； 安装轴，沿所述限位圆柱的中轴线穿设于限位圆柱中，所述限位圆柱可绕所述中轴线相对于安装轴枢转； 其中，所述转盘件的环形边缘滚动嵌设于所述凹槽的内壁上，且当所述限位圆柱绕所述中轴线枢转时可通过所述凹槽与环形边缘的摩擦力驱动所述转盘件转动。
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