聚灿光电科技(宿迁)有限公司张克旺获国家专利权
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龙图腾网获悉聚灿光电科技(宿迁)有限公司申请的专利一种DBR高附着性及高亮的LED芯片结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223899606U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423090589.7，技术领域涉及：H10H20/841；该实用新型一种DBR高附着性及高亮的LED芯片结构是由张克旺;吴恩佳;褚志强设计研发完成，并于2024-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种DBR高附着性及高亮的LED芯片结构在说明书摘要公布了：本实用新型涉及半导体技术领域，具体公开了一种DBR高附着性及高亮的LED芯片结构，包括芯粒、正极和负极，所述芯粒包括衬底、依次设于衬底表面的N型GaN、MQW量子阱层、设于衬底背面的DBR反射层，所述衬底背面开有若干均匀的孔槽，所述DBR反射层嵌入衬底孔槽内部。本实用新型在片源衬底背面开出孔槽图形，形成小孔，片源经过DBR镀膜后，DBR反射层会嵌到芯片衬底内部，从而增加DBR与芯片的结合力且增大DBR面积，从而提高了DBR的附着性和芯粒亮度。
本实用新型一种DBR高附着性及高亮的LED芯片结构在权利要求书中公布了：1.一种DBR高附着性及高亮的LED芯片结构，包括芯粒、正极和负极，所述芯粒包括衬底、依次设于衬底表面的N型GaN、MQW量子阱层、设于衬底背面的DBR反射层，其特征在于：所述衬底背面开有若干均匀的孔槽，所述DBR反射层嵌入衬底孔槽内部；所述孔槽与孔槽间距8μm； 所述孔槽为倒梯形结构，孔槽孔径4μm，角度45℃，深度为2μm。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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