青岛佳恩半导体有限公司何钧获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉青岛佳恩半导体有限公司申请的专利一种基于碳化硅材料的短路保护器获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223899576U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520412431.2，技术领域涉及：H10D89/60；该实用新型一种基于碳化硅材料的短路保护器是由何钧;邓颖;王新强;王丕龙设计研发完成，并于2025-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于碳化硅材料的短路保护器在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种基于碳化硅材料的短路保护器，属于短路保护器技术领域，该基于碳化硅材料的短路保护器自下而上依次包括：底部欧姆金属层与第一N+衬底层相连；第一N+衬底层位于底部欧姆金属层上表面；N层位于第一N+衬底层之上；耗尽区即空间电荷区，位于N层或第一N+衬底层与P+区之间；P+区位于第一N+衬底层上表面，两个P+区之间为导电通道，所述P+区用于形成PN结和控制电流；第二N+衬底层位于N层上表面；顶部欧姆金属层位于P+区和第二N+衬底层上表面，本实用新型可以解决在短路状态下快速响应保护SICMOSFET。
本实用新型一种基于碳化硅材料的短路保护器在权利要求书中公布了：1.一种基于碳化硅材料的短路保护器，其特征在于，包括N+衬底层，所述N+衬底层包括第一N+衬底层2以及第二N+衬底层6，器件结构自下而上依次包括： 底部欧姆金属层1，与第一N+衬底层2相连； 第一N+衬底层2，位于底部欧姆金属层1上表面，作为低电阻接触层； N层3，位于第一N+衬底层2之上，作为导电通道层； 耗尽区，即空间电荷区，位于N层3或第一N+衬底层2与P+区4之间； P+区4，位于第一N+衬底层2上表面，两个P+区4之间为导电通道； 第二N+衬底层6，位于N层3上表面； 顶部欧姆金属层5，位于P+区4和第二N+衬底层6上表面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人青岛佳恩半导体有限公司，其通讯地址为：266000 山东省青岛市城阳区河套街道胶州湾综保区田海路207号023室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励