武汉戴美激光科技有限公司吴春华获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉戴美激光科技有限公司申请的专利一种PMOS管栅极驱动电路获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223899203U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520421352.8，技术领域涉及：H03K17/687；该实用新型一种PMOS管栅极驱动电路是由吴春华;戚大周;洪汉润设计研发完成，并于2025-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种PMOS管栅极驱动电路在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种PMOS管栅极驱动电路，用于控制PMOS管的导通和截止，包括PMOS管、钳位模块、充电模块和放电模块，PMOS管的源极接入直流母线电压，PMOS管的漏极与负载的输入端正极连接，PMOS管的栅极分别与放电模块的第一端、充电模块的第一端连接，钳位模块的第一端接入PWM信号，钳位模块的第二端分别与充电模块的第二端和放电模块的第二端连接，放电模块的第三端与PMOS管的源极连接。本申请通过PWM信号的电平高低以及钳位模块的设置来对应实现充电模块和放电模块的选择，进而实现PMOS管的导通和关断。本申请所需成本较低，且能够实现100％占空比，使用灵活。
本实用新型一种PMOS管栅极驱动电路在权利要求书中公布了：1.一种PMOS管栅极驱动电路，用于控制PMOS管的导通和截止，其特征在于，所述电路包括： PMOS管Q3、钳位模块、充电模块和放电模块，所述PMOS管Q3的源极接入直流母线电压，所述PMOS管Q3的漏极与负载的输入端正极连接，所述PMOS管的栅极分别与所述放电模块的第一端、所述充电模块的第一端连接，所述钳位模块的第一端接入PWM信号，所述钳位模块的第二端分别与所述充电模块的第二端和所述放电模块的第二端连接，所述放电模块的第三端与所述PMOS管Q3的源极连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉戴美激光科技有限公司，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区民族大道327-1号湖北国知专利创业孵化中心大楼311、313、315室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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