天津中科晶禾电子科技有限责任公司冯策获国家专利权
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龙图腾网获悉天津中科晶禾电子科技有限责任公司申请的专利磁筛选模块及超原子束源筛选装置获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223898296U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202520341695.3,技术领域涉及:H01J37/147;该实用新型磁筛选模块及超原子束源筛选装置是由冯策;宋伟健;母凤文;刘福超;郭超;谭向虎设计研发完成,并于2025-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁筛选模块及超原子束源筛选装置在说明书摘要公布了:本实用新型公开了一种磁筛选模块及超原子束源筛选装置,涉及半导体材料表面处理技术领域。该磁筛选模块包括偶数个磁铁,偶数个磁铁沿周向均匀排布成环形磁阵列,环形磁阵列中,每两个相对的磁铁形成充磁方向相同的磁对,相邻磁对的充磁方向夹角为360°n,其中,n为磁对数量,且n≥2,以在环形磁阵列的中心形成合成磁场强度最低区域。超原子束源穿过环形磁阵列的中轴线时,质量较大的超原子离子偏转半径很大,在环形磁阵列产生的磁场中不会发生偏转,可以顺利穿过磁筛选模块,而质量较小的单原子离子在环形磁阵列产生的磁场中会发生偏转,从而实现单原子离子的筛除。
本实用新型磁筛选模块及超原子束源筛选装置在权利要求书中公布了:1.磁筛选模块,其特征在于,包括偶数个磁铁11,偶数个所述磁铁11沿周向均匀排布成环形磁阵列1,所述环形磁阵列1中,每两个相对的磁铁11形成充磁方向相同的磁对,相邻磁对的充磁方向夹角为360°,其中,n为磁对数量,且n≥2,以在所述环形磁阵列1的中心形成合成磁场强度最低区域。
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