北京天科合达半导体股份有限公司;江苏天科合达半导体有限公司晁欢获国家专利权
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龙图腾网获悉北京天科合达半导体股份有限公司;江苏天科合达半导体有限公司申请的专利一种碳化硅晶片掺杂均匀性的检测装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223897312U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520160926.0，技术领域涉及：G01N21/31；该实用新型一种碳化硅晶片掺杂均匀性的检测装置是由晁欢;陈军;张文文;刘春俊;彭同华;杨建设计研发完成，并于2025-01-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化硅晶片掺杂均匀性的检测装置在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种碳化硅晶片掺杂均匀性的检测装置，涉及碳化硅晶片检测技术领域。根据掺杂原子浓度不同对光的吸收比例不同的原理，基于处理组件依据光源出射光束的第一光强和透过待检测碳化硅晶片的平行光在感光组件不同入射位置处的第二光强，确定所述待检测碳化硅晶片不同位置处的透光率；基于所述待检测碳化硅晶片不同位置处的透光率以此确定所述待检测碳化硅晶片的掺杂均匀性。并且通过设置偏光组件避免透过所述待检测碳化硅晶片的散射光对检测结果造成影响，以此提高最终的检测精度。
本实用新型一种碳化硅晶片掺杂均匀性的检测装置在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅晶片掺杂均匀性的检测装置，其特征在于，所述碳化硅晶片掺杂均匀性的检测装置包括：光源、检测治具、偏光组件、感光组件以及处理组件；所述检测治具上安装有待检测碳化硅晶片； 所述光源用于出射第一光强的光束，并入射至所述待检测碳化硅晶片上； 所述偏光组件用于将透过所述待检测碳化硅晶片的散射光进行过滤处理，使透过所述待检测碳化硅晶片的平行光入射至所述感光组件上； 所述感光组件用于检测所述平行光在不同入射位置处的第二光强； 所述处理组件用于依据所述第一光强和所述第二光强，确定所述待检测碳化硅晶片不同位置处的透光率；基于所述待检测碳化硅晶片不同位置处的透光率确定所述待检测碳化硅晶片的掺杂均匀性。
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