东莞市双平电源技术有限公司韦伟平获国家专利权
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龙图腾网获悉东莞市双平电源技术有限公司申请的专利一种多温区SiC晶体生长炉获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223892922U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520152854.5，技术领域涉及：C30B23/00；该实用新型一种多温区SiC晶体生长炉是由韦伟平设计研发完成，并于2025-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多温区SiC晶体生长炉在说明书摘要公布了：本实用新型属于晶体生长技术领域，特别涉及到了一种多温区SiC晶体生长炉，包括：炉体，内设有用于晶体生长的生长腔体；顶部加热组件，用于对炉体的顶部进行加热；底部加热组件，用于对炉体的底部进行加热；侧面加热组件，用于对炉体的侧面进行加热；所述顶部加热组件、底部加热组件和侧面加热组件分别设置在炉体的顶面、底面和侧面。在本实用新型中，通过在炉体的顶面、底面和侧面分别设置顶部加热组件、底部加热组件和侧面加热组件，可以对炉体的四周都进行均匀的加热，防止炉体体积原因导致温度分布过于不均匀，从而影响晶体生长炉成品率，可以很好地保证晶体生长炉成品率高，且产品一致性好。
本实用新型一种多温区SiC晶体生长炉在权利要求书中公布了：1.一种多温区SiC晶体生长炉，其特征在于，包括： 炉体，内设有用于晶体生长的生长腔体； 顶部加热组件，用于对炉体的顶部进行加热； 底部加热组件，用于对炉体的底部进行加热； 侧面加热组件，用于对炉体的侧面进行加热； 所述顶部加热组件、底部加热组件和侧面加热组件分别设置在炉体的顶面、底面和侧面。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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