天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体科技股份有限公司张志富获国家专利权
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龙图腾网获悉天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体科技股份有限公司申请的专利一种区熔用单晶夹持装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223892917U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423219290.7，技术领域涉及：C30B13/00；该实用新型一种区熔用单晶夹持装置是由张志富;王拓;张国栋;郝大维;刘琨;丁猛;叶舒剑设计研发完成，并于2024-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种区熔用单晶夹持装置在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种区熔用单晶夹持装置，包括夹持钼片，所述夹持钼片包括夹持部，所述夹持部两侧设有阻挡部，所述夹持部与单晶适配，所述阻挡部沿所述单晶周向设置，所述夹持部夹持所述单晶时，所述阻挡部与所述单晶之间设有间隙。本实用新型的有益效果是实现了区熔拉晶过程中对单晶的稳固夹持，提高了制晶过程的稳定性，可有效减少单晶流熔后进入外轴内部，避免烫伤外轴内部或者内轴。
本实用新型一种区熔用单晶夹持装置在权利要求书中公布了：1.一种区熔用单晶夹持装置，包括夹持钼片，其特征在于：所述夹持钼片包括夹持部，所述夹持部两侧设有阻挡部，所述夹持部与单晶适配，所述阻挡部沿所述单晶周向设置，所述夹持部夹持所述单晶时，所述阻挡部与所述单晶之间设有间隙，所述夹持部远离所述单晶的一侧设置为弧形，所述阻挡部远离所述单晶的一侧设置为与所述弧形相切的直线形，所述阻挡部远离所述夹持部的一侧设置为直线形。
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