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龙图腾网获悉泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种3kV以上非对称高可靠超结碳化硅VDMOS及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121284996B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511841892.2，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种3kV以上非对称高可靠超结碳化硅VDMOS及其制备方法是由何佳;胡慧娜;李昀佶;陈彤设计研发完成，并于2025-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种3kV以上非对称高可靠超结碳化硅VDMOS及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种3kV以上非对称高可靠超结碳化硅VDMOS及其制备方法，所述方法包括：在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成第一漂移层；形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成P型区及N型区；去除阻挡层，外延生长，形成第二漂移层；形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成P型源区、保护区、P型阱区、N型源区；刻蚀N型源区、P型阱区以及保护区形成凹槽，氧化形成绝缘介质层；淀积金属，形成栅极金属层；刻蚀P型源区以及第二漂移层，淀积金属，形成源极金属层，去除阻挡层，完成制备；提高器件的栅极可靠性，并屏蔽器件栅极到漏极的电容效应，降低器件弥勒电容，提高器件的开关速度。

本发明授权一种3kV以上非对称高可靠超结碳化硅VDMOS及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种3kV以上非对称高可靠超结碳化硅VDMOS的制备方法，其特征在于：包括如下步骤： 步骤1、在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成第一漂移层； 步骤2、在第一漂移层上方形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，离子注入，形成P型区； 步骤3、离子注入，形成N型区； 步骤4、去除步骤3的阻挡层，外延生长，形成第二漂移层； 步骤5、在第二漂移层上方形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，离子注入，形成P型源区； 步骤6、离子注入，形成保护区； 步骤7、离子注入，形成P型阱区； 步骤8、离子注入，形成N型源区； 步骤9、刻蚀N型源区、P型阱区以及保护区形成凹槽，氧化形成绝缘介质层，所述绝缘介质层内设有沟槽； 步骤10、淀积金属，形成栅极金属层； 步骤11、刻蚀P型源区以及第二漂移层，淀积金属，形成源极金属层，去除阻挡层，完成制备； 在步骤3、6至11之前，均需去除上一步骤的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔； 所述N型区下侧面连接至第一漂移层上侧面；所述P型区下侧面连接至碳化硅衬底上侧面，所述P型区内侧面连接至第一漂移层外侧面以及N型区外侧面；所述第二漂移层下侧面连接至所述N型区上侧面；所述保护区下侧面连接至第二漂移层；所述P型阱区下侧面分别连接第二漂移层以及保护区；所述N型源区下侧面连接至所述P型阱区；所述P型源区内侧面分别连接所述第二漂移层、保护区、P型阱区以及N型源区，所述P型源区下侧面连接至所述P型区上侧面；所述绝缘介质层下侧面连接至保护区；所述绝缘介质层外侧面分别连接所述保护区、第二漂移层、P型阱区以及N型源区；所述栅极金属层设于所述沟槽内；所述源极金属层分别连接P型源区以及N型源区； 所述第二漂移层为L型，所述保护区为L型。

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