武汉量子技术研究院;武汉星光量子科技有限公司陈琪获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉量子技术研究院;武汉星光量子科技有限公司申请的专利薄膜铌酸锂电光调制器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121254528B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511821454.X，技术领域涉及：G02F1/03；该发明授权薄膜铌酸锂电光调制器及其制备方法是由陈琪;郭全兵;何剑涛设计研发完成，并于2025-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本薄膜铌酸锂电光调制器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种薄膜铌酸锂电光调制器及其制备方法，其中调制器从下往上依次包括衬底层、第一高折射率层、低折射率层、金属电极层和第二高折射率层，低折射率层为薄膜铌酸锂层；衬底层、第一高折射率层和低折射率层的宽度相等，光在金属电极层及其下方所有层中形成混合等离激元波导模式，光场局域在低折射率层中，增强非线性相互作用；金属电极层和第二高折射率层的宽度相同且小于衬底层，光在金属电极层和第二高折射率层中形成常规的等离激元模式，光场分布在金属电极层和第二高折射率层之间的界面；两种模式下的光场异相干涉形成耦合杂化等离激元模式，将光场集聚在低折射率层，减少光场在金属电极层中的比重进而降低传播损耗。
本发明授权薄膜铌酸锂电光调制器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种薄膜铌酸锂电光调制器，其特征在于，从下往上依次包括衬底层、第一高折射率层、低折射率层、金属电极层和第二高折射率层，其中，低折射率层为薄膜铌酸锂层； 所述衬底层、第一高折射率层和低折射率层的宽度相等，光在金属电极层及其下方所有层中形成混合等离激元波导模式，光场局域在低折射率层中，增强非线性相互作用； 所述金属电极层和第二高折射率层的宽度相同且小于衬底层，光在金属电极层和第二高折射率层中形成常规的等离激元模式，光场分布在金属电极层和第二高折射率层之间的界面； 两种模式下的光场异相干涉形成耦合杂化等离激元模式，将光场集聚在低折射率层，减少光场在金属电极层中的比重。
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