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龙图腾网获悉吉林云投莱森购数字科技有限公司申请的专利高可靠存储单元容错控制系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121237171B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511785967.X，技术领域涉及：G11C29/50；该发明授权高可靠存储单元容错控制系统是由禇克庆;史艳翠;田玮;周正书;王乙竹;魏言春;钟一迪;张思萌设计研发完成，并于2025-12-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本高可靠存储单元容错控制系统在说明书摘要公布了：本发明公开了高可靠存储单元容错控制系统，涉及存储单元容错控制技术领域，包括动态电荷映射模型模块、电位反演驱动链路模块、多通道相位共轭调控模块、非线性电荷折返通道模块以及自适应电容均衡控制模块；动态电荷映射模型模块，构建动态电荷映射模型，以存储单元中并行位线的寄生电容实时响应参数作为输入变量，提取高频读写切换阶段的电位跃迁曲线，基于电位跃迁曲线生成用于识别伪同步电荷积累区域的动态耦合图谱。本发明通过动态电荷映射与电位反演实现寄生电容的实时抑制与能量均衡，维持位线电势稳定；并通过非线性电荷折返与自适应电容调控实现能量闭环控制，防止电荷再生，从而提升存储单元的稳定性、可靠性与寿命。

本发明授权高可靠存储单元容错控制系统在权利要求书中公布了：1.高可靠存储单元容错控制系统，其特征在于，包括动态电荷映射模型模块、电位反演驱动链路模块、多通道相位共轭调控模块、非线性电荷折返通道模块以及自适应电容均衡控制模块； 动态电荷映射模型模块，构建动态电荷映射模型，以存储单元中并行位线的寄生电容实时响应参数作为输入变量，提取高频读写切换阶段的电位跃迁曲线，基于电位跃迁曲线生成用于识别伪同步电荷积累区域的动态耦合图谱； 电位反演驱动链路模块，基于动态耦合图谱中识别出的伪同步电荷积累区域建立电位反演驱动链路，通过反向注入补偿电流的方式对电位跃迁曲线进行修正； 多通道相位共轭调控模块，基于修正后的电位跃迁曲线启动多通道相位共轭调控过程，以补偿电流信号作为相位基准，动态调整各位线的耦合向量，实现位线间的相位锁定与电势同步； 非线性电荷折返通道模块，在相位锁定状态下建立非线性电荷折返通道，在电荷折返通道内设置能量吸收阈值，主动捕获未释放的残余电荷，并将残余电荷对应的能量导入闭环衰减路径，阻断伪同步电荷积累区域的再生； 自适应电容均衡控制模块，基于闭环衰减路径的能量衰减结果生成自适应电容均衡指令，依据自适应电容均衡指令连续调节驱动电流与补偿电流幅值。

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