中国海洋大学刘艳获国家专利权
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龙图腾网获悉中国海洋大学申请的专利抗辐射SRAM单元、阵列及存算一体系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121214996B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511767104.X，技术领域涉及：G11C11/4074；该发明授权抗辐射SRAM单元、阵列及存算一体系统是由刘艳;缪徐风;郑海永设计研发完成，并于2025-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本抗辐射SRAM单元、阵列及存算一体系统在说明书摘要公布了：本发明涉及静态存储技术领域，具体公开了一种抗辐射SRAM单元、阵列及存算一体系统，其通过电路与系统的协同设计实现了抗辐射能力与工程可行性的平衡。其核心采用极性加固的RHCIM‑16T单元结构，通过引入方向性导电约束，将复杂多节点翻转简化为单一“锁0”错误，从源头上降低了错误率。在此基础上，结合轻量级单错误纠正码，形成“电路简化+SEC编码”的高效容错机制。该方案通过分裂字线等设计，兼容AND、NOR等逻辑运算，确保了存算一体功能在辐射环境下的稳定执行。仿真及实验结果表明，本发明在维持较低面积与功耗开销的同时，能够显著增强辐射环境下存算阵列的鲁棒性与可扩展性。
本发明授权抗辐射SRAM单元、阵列及存算一体系统在权利要求书中公布了：1.抗辐射SRAM单元，其特征在于：包括四个PMOS晶体管P1~P4和十二个NMOS晶体管N1~N8、Ma1~Ma4，P1~P4的源极均连接电源VDD，Ma1~Ma4的栅极分别连接字线WL1~WL4，Ma1、Ma3的源极均连接位线BL，Ma2、Ma4的源极均连接位线BLB，N3~N6的源极均接地，P1~P4的漏极分别连接N7、N1、N2、N8的漏极，P1的栅极、N2的源极、N4的栅极、N5的漏极、N8的栅极和Ma2的漏极连接于节点QB，P2的栅极、N2的栅极、N3的栅极、N6的漏极、N8的源极和Ma4的漏极连接于节点S1，P3的栅极、N1的栅极、N3的漏极、N6的栅极、N7的源极和Ma3的漏极连接于节点S0，P4的栅极、N1的源极、N4的漏极、N5的栅极、N7的栅极和Ma1的漏极连接于节点Q。
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