华侨大学梁毅庆获国家专利权
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龙图腾网获悉华侨大学申请的专利永磁同步关节电机及其磁编码器和消歧角度检测方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN121193012B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511725617.4,技术领域涉及:H02K11/215;该发明授权永磁同步关节电机及其磁编码器和消歧角度检测方法是由梁毅庆;邹卫民;郭新华;王荣坤设计研发完成,并于2025-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本永磁同步关节电机及其磁编码器和消歧角度检测方法在说明书摘要公布了:永磁同步关节电机及其磁编码器和消歧角度检测方法,涉及电机角度检测技术领域。磁编码器包含磁编码器模块和AMR传感器阵列。磁编码器模块适于安装在电机轴端。所述磁编码器模块包括同轴布置的外环磁体与内环磁体。所述外环磁体与所述内环磁体的极对数之差的绝对值为2。AMR传感器阵列适于布置在外环磁体与内环磁体的磁场作用区。所述AMR传感器阵列包括位于所述磁场作用区的同一半径线上的两颗AMR传感器。两颗AMR传感器分别对应于外环磁体和内环磁体的磁场区域,用于同步采集各自对应磁环的信号。所述信号适于通过双环游标效应及消歧算法实现单圈绝对角度的高分辨率检测。
本发明授权永磁同步关节电机及其磁编码器和消歧角度检测方法在权利要求书中公布了:1.永磁同步关节电机用磁编码器,其特征在于,包含磁编码器模块和AMR传感器阵列; 磁编码器模块安装在电机轴端;所述磁编码器模块包括同轴布置的外环磁体3与内环磁体2;所述外环磁体3与所述内环磁体2的极对数之差的绝对值为2; AMR传感器阵列布置在外环磁体3与内环磁体2的磁场作用区;所述AMR传感器阵列包括位于所述磁场作用区的同一半径线上的两颗AMR传感器4;两颗AMR传感器4分别对应于外环磁体3和内环磁体2的磁场区域,用于同步采集各自对应磁环的信号; 所述信号通过双环游标效应及消歧算法实现单圈绝对角度的高分辨率检测。
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