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龙图腾网获悉泉州市三安集成电路有限公司申请的专利一种半导体器件和射频模组获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121174555B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511695092.4，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种半导体器件和射频模组是由钟杰斌;黄龙泉;刘胜厚;孙希国;汪晓媛设计研发完成，并于2025-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件和射频模组在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体器件和射频模组。半导体器件的通孔自衬底、半导体叠层方向延伸至贯穿半导体叠层并暴露出源极，且通孔包括位于衬底内且连接第二表面的第一孔段、以及跨设于衬底和半导体叠层内的第二孔段，第二孔段自第一孔段向半导体叠层延伸并贯穿；金属层覆盖第二表面且延伸至通孔侧壁，并与源极相接触；第一孔段侧壁的延长线与半导体叠层的另一面形成的第一夹角大于第二孔段侧壁与半导体叠层的另一面形成的第二夹角；第一孔段深度大于第二孔段深度；覆盖通孔侧壁的金属层厚度自第二表面向半导体叠层方向减小。本发明可有效提升器件散热效果，降低器件沟道温度，同时可以降低器件的寄生电容，提升器件的线性增益等有益效果。

本发明授权一种半导体器件和射频模组在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底，具有彼此相对的第一表面和第二表面； 半导体叠层，位于所述第一表面上，具有彼此相对的一面和另一面，半导体叠层的一面与第一表面相接触； 源极，位于所述半导体叠层的另一面上； 通孔，沿衬底厚度方向自所述第二表面依次向所述衬底、所述半导体叠层方向延伸至贯穿所述半导体叠层并暴露出所述源极；且沿衬底厚度方向剖视观之，所述通孔包括位于所述衬底内且连接第二表面的第一孔段、以及跨设于所述衬底和半导体叠层内的第二孔段，所述第二孔段自第一孔段远离第二表面的一端向半导体叠层延伸并贯穿整个半导体叠层； 金属层，覆盖所述第二表面且延伸覆盖至所述通孔侧壁，并与所述源极相接触； 凹槽，位于所述通孔内；所述凹槽形成于覆盖所述通孔侧壁的金属层与通孔中与所述源极相接触的金属层之间； 所述第一孔段侧壁的延长线与半导体叠层的另一面形成的第一夹角α大于所述第二孔段侧壁与半导体叠层的另一面形成的第二夹角β；β的取值范围满足：78°≤β≤88°；所述第一孔段的深度h1大于所述第二孔段的深度h2；覆盖在所述通孔侧壁的金属层厚度自所述第二表面向所述半导体叠层方向减小。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人泉州市三安集成电路有限公司，其通讯地址为：362343 福建省泉州市南安市石井镇古山村莲山工业区2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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