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龙图腾网获悉江苏东玖光电科技有限公司申请的专利一种氧化铟透明半导体陶瓷的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121159234B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511716237.4，技术领域涉及：C04B35/01；该发明授权一种氧化铟透明半导体陶瓷的制备方法是由刘秉宁;孔伟华;马贺设计研发完成，并于2025-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氧化铟透明半导体陶瓷的制备方法在说明书摘要公布了：一种氧化铟透明半导体陶瓷的制备方法，包括：将铟源溶于EDTA‑甘油复合络合剂形成稳定溶液；加入FeⅢ‑柠檬酸‑过氧化氢体系，加热生成·OH原位裂解有机物，得高纯前驱体溶胶；干燥后氧气煅烧500～700℃获纳米粉体；预压冷等静压成型后，双阶段烧结第一阶段Ar‑H22弱还原1100～1300℃，第二阶段O22‑Ar富氧1300～1500℃制得陶瓷。实施例可见光透过率55%～75%，电阻率0.002～0.005Ω·cm，密度7.00～7.15gcm33，显著优于传统工艺，适用于高性能光电器件。

本发明授权一种氧化铟透明半导体陶瓷的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氧化铟透明半导体陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤S1.将铟源化合物溶解于含有氨基羧酸-多元醇复合络合剂的溶液中，形成稳定的铟有机络合溶液； 步骤S2.在所述铟有机络合溶液中加入由过氧化氢、柠檬酸和三价铁盐组成的含氧自由基原位生成体系，使所述三价铁盐与柠檬酸形成FeⅢ-络合复合物，在加热条件下生成羟基自由基，得到经处理的氧化铟前驱体溶胶； 步骤S3.将步骤S2所得前驱体溶胶干燥后，于氧气气氛中煅烧至500～700℃，获得高纯氧化铟纳米粉体； 步骤S4.将步骤S3所得氧化铟纳米粉体经预压和冷等静压成型后，在双阶段气氛烧结系统中进行烧结，得到氧化铟透明半导体陶瓷； 所述氨基羧酸-多元醇复合络合剂由乙二胺四乙酸EDTA与甘油组成，其摩尔比为1∶2～4； 其中，步骤S2中的FeⅢ-络合复合物由FeNO33与柠檬酸按摩尔比1∶1～3混合形成，加入量为铟有机络合溶液质量的0.01～0.5wt%；所述加热条件为60～90℃下进行20～60分钟； 步骤S4中双阶段气氛烧结包括： 第一阶段为氩气-氢气混合气氛，氧分压10-5～10-6atm，温度1100～1300℃； 第二阶段为氧气-氩气混合气氛，氧分压10-2～10-3atm，温度1300～1500℃。

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