宁波阿尔法半导体有限公司沈梦涵获国家专利权
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龙图腾网获悉宁波阿尔法半导体有限公司申请的专利一种碳化硅晶片的清洗方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121148990B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511697018.6，技术领域涉及：H10P70/00；该发明授权一种碳化硅晶片的清洗方法是由沈梦涵;浩瀚;赵新田;余胜军;覃振堂;吴思波;杨水艳设计研发完成，并于2025-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化硅晶片的清洗方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种碳化硅晶片的清洗方法，清洗方法包括步骤：S100、提供自旋转的待清洁碳化硅晶片，使用水气二流体对待清洁碳化硅晶片进行喷射清洗，得到第一晶片；S200、使用第一清洁溶液对第一晶片进行清洗，得到第二晶片，第一清洁溶液的溶质包括聚氧乙烯醚类表面活性剂、焦磷酸钾与增溶剂，第一清洁溶液的溶剂为超纯水；S300、使用氨水溶液清洗第二晶片，得到第三晶片；S400、依次采用SC‑2清洁溶液以及氢氟酸溶液对第三晶片进行清洗，得到第四晶片；S500、通过水气二流体对第四晶片进行喷射清洗，干燥后得到第五晶片。本申请通过使用成分为聚氧乙烯醚类表面活性剂、焦磷酸钾与增溶剂的第一清洁溶液，提升碳化硅晶片的表面清洁度。
本发明授权一种碳化硅晶片的清洗方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅晶片的清洗方法，其特征在于，包括步骤： S100、提供自旋转的待清洁碳化硅晶片，使用水气二流体对待清洁碳化硅晶片进行喷射清洗，得到第一晶片； S200、使用第一清洁溶液对所述第一晶片进行清洗，得到第二晶片，所述第一清洁溶液的溶质包括聚氧乙烯醚类表面活性剂、焦磷酸钾与增溶剂，所述第一清洁溶液的溶剂为超纯水； S300、使用氨水溶液清洗所述第二晶片，得到第三晶片； S400、依次采用SC-2清洁溶液以及氢氟酸溶液对所述第三晶片进行清洗，得到第四晶片； S500、通过水气二流体对所述第四晶片进行喷射清洗，干燥后得到第五晶片。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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