合肥晶合集成电路股份有限公司刘苏涛获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体器件、浅沟槽隔离结构的清洗方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121123011B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511648328.9，技术领域涉及：H10P70/00；该发明授权半导体器件、浅沟槽隔离结构的清洗方法是由刘苏涛;肖迪设计研发完成，并于2025-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件、浅沟槽隔离结构的清洗方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件、浅沟槽隔离结构的清洗方法，属于半导体技术领域，该方法包括：提供一半导体器件，半导体器件包括硅衬底，硅衬底上层叠有多层半导体结构，在多层半导体结构中，表面层为二氧化硅材质，表面层的外表面存在需要清洗的残留物；采用等离子体氮化法对表面层的外表面进行处理，使得表面层的外表面被氮化形成氮氧化硅层；采用硫酸双氧水混合溶液蚀刻氮氧化硅层，在氮氧化硅层被蚀刻去除后，停止蚀刻，以清洗表面层的外表面残留物。该方法能够在二氧化硅损失可控的前提下实现清洗二氧化硅。
本发明授权半导体器件、浅沟槽隔离结构的清洗方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的清洗方法，其特征在于，所述方法包括： 提供一半导体器件，所述半导体器件包括硅衬底，所述硅衬底上层叠有多层半导体结构，在所述多层半导体结构中，表面层为二氧化硅材质，所述表面层的外表面存在需要清洗的残留物，所述表面层为浅沟槽隔离结构填充的氧化物； 采用等离子体氮化法对所述表面层的外表面进行处理，使得所述表面层的外表面被氮化形成氮氧化硅层，所述表面层的厚度远大于所述氮氧化硅层的厚度； 采用硫酸双氧水混合溶液蚀刻所述氮氧化硅层，在所述氮氧化硅层被蚀刻去除后，停止蚀刻，以清洗所述表面层的外表面残留物。
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