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龙图腾网获悉深圳明锐理想科技股份有限公司申请的专利一种元件照射剂量预测方法、成像系统及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121114095B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511670471.8，技术领域涉及：G01N23/04；该发明授权一种元件照射剂量预测方法、成像系统及存储介质是由张天奕;冀运景;胡成;田敏设计研发完成，并于2025-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种元件照射剂量预测方法、成像系统及存储介质在说明书摘要公布了：本发明实施例涉及成像检测技术领域，尤其是涉及一种元件照射剂量预测方法、成像系统及存储介质，预测方法应用于成像系统，成像系统包括射线源和探测器。本发明实施例通过获取关注元件在射线源照射下的实测剂量，拟合射线源的照射强度分布与实测剂量，得到射线强度剂量分布，基于射线强度剂量分布与关注元件的相对位置变化路径映射到探测器高度层的路径，得到关注元件在标准高度和标准电流下的受照剂量，最终根据关注元件的实际情况修正受照剂量，得到关注元件的预测受照剂量，如此，能够结合射线源的射线强度分布及关注元件的实际情况准确地预测出关注元件的受照剂量，提升受照剂量预测的准确性，减小受照剂量误差。

本发明授权一种元件照射剂量预测方法、成像系统及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种元件照射剂量预测方法，应用于成像系统，其特征在于，成像系统包括射线源和探测器，所述方法包括： 通过探测器采集射线源的射线强度分布； 对关注元件进行测量获取实测剂量； 将实测剂量与射线强度分布进行拟合，以将射线强度分布映射为射线强度剂量分布； 将关注元件的相对位置变化路径映射到探测器高度层的路径，基于该路径与射线强度剂量分布得到标准高度、标准电流下的受照剂量，包括：将射线源射线范围按照探测器尺寸分为若干个区块，不同区块处于探测器高度层的不同相对位置，探测器高度层为探测器与射线源在竖直方向上的相对高度层面；将单次拍摄中探测器与关注元件的相对位置变化路径，映射到以探测器为原点的坐标系下，得到在探测器高度层的参考路径；基于与单次拍摄对应的射线强度剂量分布对参考路径进行离散积分，得到单次拍摄中标准高度、标准电流下的受照剂量，标准高度为关注元件与探测器的距离，标准电流为施加于关注元件的电流； 根据关注元件的实际情况对该受照剂量进行修正，获得关注元件的预测受照剂量。

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