北京宏思电子技术有限责任公司吴晓彤获国家专利权
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龙图腾网获悉北京宏思电子技术有限责任公司申请的专利一种SoC芯片的晶圆测试方法及装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN121069160B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511604646.5,技术领域涉及:G01R31/28;该发明授权一种SoC芯片的晶圆测试方法及装置是由吴晓彤;张建龙;田磊;王大伟设计研发完成,并于2025-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种SoC芯片的晶圆测试方法及装置在说明书摘要公布了:本发明公开一种SoC芯片的晶圆测试方法及装置,属于电子设备领域。测试机根据用户输入的数据组装写操作的测试指令或读操作的测试指令并发送给SoC芯片,当SoC芯片接收到写操作的测试指令时将测试指令的数据域内容写入到寄存器中,进行测试并将测试结果数据返回给测试机,当SoC芯片接收到读操作的测试指令时将寄存器中的数据返回给测试机。测试机与SoC芯片之间的数据交互通过TCLK管脚电平信号和TIO管脚电平信号来实现,采用两线晶圆测试方法,适用管脚少的小芯片,实现了在测试机上可同时测试多颗小芯片,降低测试成本,使用方便。
本发明授权一种SoC芯片的晶圆测试方法及装置在权利要求书中公布了:1.一种SoC芯片的晶圆测试方法,其特征在于,所述方法包括: 步骤T1:SoC芯片通过TCLK管脚和TIO管脚接收测试机发送的测试指令的指令头,根据所述指令头确定测试模式,判断所述指令头中的读写选择位是否为第一预设值,是则执行步骤T2,否则执行步骤T4; 步骤T2:所述SoC芯片通过所述TCLK管脚和所述TIO管脚继续接收所述测试指令的数据域,并将所述数据域存储至所述测试模式对应的寄存器中,根据所述寄存器中的使能测试位的值判断是否进行测试,是则执行步骤T3,否则本次测试结束; 步骤T3:所述SoC芯片根据所述测试模式和所述寄存器中的测试参数进行测试,通过所述TIO管脚将测试结果数据返回给所述测试机; 步骤T4:所述SoC芯片根据所述测试模式获取对应寄存器中的数据,等待一个调转周期后通过所述TCLK管脚和所述TIO管脚将获取的数据返回给所述测试机; 所述步骤T1包括:所述SoC芯片在5个周期内的TCLK管脚电平的上升沿对TIO管脚电平进行采样,根据所有采样结果得到测试指令的指令头,从所述指令头中获取3比特的低位数据得到测试模式的值,根据所述测试模式的值确定对应的测试模式,判断所述测试指令中次高比特位的值是否为第一预设值,是则执行步骤T2,否则执行步骤T4。
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