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龙图腾网获悉上海车仪田科技有限公司申请的专利金属污染在线监测方法、系统、电子设备、存储介质及计算机程序产品获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121068630B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511612358.4，技术领域涉及：G01N21/95；该发明授权金属污染在线监测方法、系统、电子设备、存储介质及计算机程序产品是由肖亦然;张黎明;郭军涛设计研发完成，并于2025-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本金属污染在线监测方法、系统、电子设备、存储介质及计算机程序产品在说明书摘要公布了：本申请涉及一种金属污染在线监测方法、系统、电子设备、存储介质及计算机程序产品。该方法，包括：获取半导体工艺中工艺腔内的光谱数据；根据主成分分析模型计算光谱数据的SPE统计量，当判断SPE统计量超过预设控制限时，将光谱数据作为污染光谱，并进入金属污染分析步骤，其包括：基于污染光谱的工艺时间阶段，获取最接近的基准光谱，计算污染光谱与基准光谱的差谱；基于原始光谱数据与差谱，计算待测金属的污染指数；将待测金属的污染指数与预设的金属特征谱数据库进行匹配，当匹配结果满足预设条件时，确定工艺腔内存在金属污染，并输出报警信号。本申请可以实现对金属污染的早期预警和快速响应，从而提升半导体制造的工艺控制水平和产品良率。

本发明授权金属污染在线监测方法、系统、电子设备、存储介质及计算机程序产品在权利要求书中公布了：1.一种金属污染在线监测方法，其特征在于，包括： 采用OES传感器实时采集工艺腔内的光谱信号，获取半导体工艺中工艺腔内的光谱数据； 根据主成分分析模型计算所述光谱数据的SPE统计量，当判断所述SPE统计量超过预设控制限时，将所述光谱数据作为污染光谱，并进入金属污染分析步骤，所述金属污染分析步骤包括： 获取在洁净工艺腔内运行多次所述半导体工艺并采用OES传感器所采集的原始光谱数据； 基于所述污染光谱的工艺时间阶段，获取最接近的基准光谱，计算所述污染光谱与所述基准光谱的差谱，其中，所述基准光谱为由所述原始光谱数据获得； 基于所述原始光谱数据与所述差谱，计算待测金属的污染指数，包括：获取惰性气体第一特征峰与惰性气体第二特征峰的基准强度比，其中，所述惰性气体第一特征峰与惰性气体第二特征峰根据所述半导体工艺选定，所述基准强度比为所述原始光谱数据中所述惰性气体第一特征峰与惰性气体第二特征峰的光谱强度比；基于所述差谱，计算所述惰性气体第一特征峰与惰性气体第二特征峰的光谱强度比，作为当前比值；当所述当前比值与所述基准强度比相比且两者之差在预设范围内时，计算所述差谱中待测污染物的特征波长光谱强度与所述惰性气体第一特征峰在所述原始光谱数据中的光谱强度比值，作为待测金属的污染指数； 将所述待测金属的污染指数与预设的金属特征谱数据库进行匹配，当匹配结果满足预设条件时，确定所述工艺腔内存在金属污染，并输出报警信号，其中， 所述预设的金属特征谱数据库的建立步骤为：获取原始光谱数据；基于所述半导体工艺以及所述原始光谱数据，确定至少两种待测金属的特征谱线；获取所述半导体工艺中不同工艺时间阶段对应的基准光谱；计算各基准光谱中每一种待测金属的特征谱线对应的基准指数CLm；将工艺时间阶段及每一种待测金属的基准指数CLm建立对应关系，形成金属特征谱数据库。

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