苏州新维度微纳科技有限公司卢英卓获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州新维度微纳科技有限公司申请的专利微纳结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121050174B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511615500.0，技术领域涉及：G03F7/00；该发明授权微纳结构的制备方法是由卢英卓;刘超;李商羽设计研发完成，并于2025-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本微纳结构的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种微纳结构的制备方法，制备方法包括：提供一子模板，子模板的材质为丙烯酸类材料；通过氧等离子体沿第一方向对压印结构的第一表面进行表面活化处理，以驱动至少部分厚度的所述压印结构的C=C双键氧化为羧基或C=C双键断裂；在衬底表面涂覆设定厚度的环氧类压印胶；将子模板压印至环氧类压印胶上，压印结构的第一表面与环氧类压印胶发生反应以去除位于第一表面与衬底之间的环氧类压印胶；在设定反应时间后固化环氧类压印胶并移除子模板，获得微纳结构。本发明通过全过程自发反应消除残胶，提高微纳结构的一致性。
本发明授权微纳结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种微纳结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 提供一子模板，所述子模板的材质为丙烯酸类材料，所述丙烯酸类材料具有C=C双键和羧基官能团，所述子模板包括基层和凸出设置于所述基层表面上的压印结构，所述压印结构具有远离所述基层的第一表面； 基于ICP工艺将氧气电离为氧等离子体，并沿第一方向对所述压印结构的第一表面注入氧等离子体，通过氧等离子体对所述压印结构的第一表面进行表面活化处理，以驱动至少部分厚度的所述压印结构的C=C双键氧化为羧基或C=C双键断裂，所述第一方向自所述第一表面向所述基层延伸； 在衬底表面涂覆设定厚度的环氧类压印胶； 将所述子模板压印至所述环氧类压印胶上，所述压印结构的第一表面与所述环氧类压印胶发生反应以去除位于第一表面与衬底之间的环氧类压印胶； 在设定反应时间后固化所述环氧类压印胶并移除所述子模板，获得无残胶的微纳结构。
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