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龙图腾网获悉武汉市康达电气有限公司申请的专利基于磁通门的大口径交直流传感器、杂散电流测量方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121049564B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511598431.7，技术领域涉及：G01R19/00；该发明授权基于磁通门的大口径交直流传感器、杂散电流测量方法是由胡晓晖;唐磊;颜丽;李志鹏设计研发完成，并于2025-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于磁通门的大口径交直流传感器、杂散电流测量方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于磁通门的大口径交直流传感器、杂散电流测量方法，其传感器包括传感器探头、激励电路和检测电路，所述激励电路包括过流保护电路和H桥；所述H桥的输入端和输出端分别与激磁电源和过流保护电路连接，所述H桥的中点与传感器探头连接；所述H桥包括上桥臂和下桥臂，每个桥臂至少包括一对漏极和源极相互交叉连接的MOS管；所述过流保护电路，用于通过预设参考电压、传感器探头反馈的励磁电流和H桥的电流流向，协同调节传感器探头两端电压的极性和幅值；所述检测电路分别与传感器探头的一端和H桥输出端连接，用于检测励磁电流的直流分量和交流分量。本发明通过H桥MOSFET驱动降低了传感器成本，大口柔性设计适配不同测量场景。

本发明授权基于磁通门的大口径交直流传感器、杂散电流测量方法在权利要求书中公布了：1.一种基于磁通门的大口径交直流传感器，包括传感器探头、激励电路和检测电路，其特征在于，所述激励电路包括过流保护电路和H桥；所述H桥的输入端和输出端分别与激磁电源和过流保护电路连接，所述H桥的中点与传感器探头连接；所述H桥包括上桥臂和下桥臂，每个桥臂至少包括一对漏极和源极相互交叉连接的MOS管；所述过流保护电路，用于通过预设参考电压、传感器探头反馈的励磁电流和H桥的电流流向，协同调节传感器探头两端电压的极性和幅值；所述检测电路分别与传感器探头的一端和H桥输出端连接，用于检测励磁电流的直流分量和交流分量;所述检测电路包括直流检测电路和交流检测电路，所述直流检测电路依次包括放大电路、反相器电路、低通滤波电路和模数转换电路；所述交流检测电路依次包括缓冲器、电平转换和微控制器； 所述大口径交直流传感器的杂散电流测量方法包括：基于磁通门在一个自激振荡周期内激励电压的峰值持续时间，定义激励电压占空比；基于激励电压占空比，通过磁芯工作状态的回路方程和激励电流的微分方程，确定杂散电流交流分量的表达式；基于实时测量的激励电压占空比，判断杂散电流的电流方向；通过检测电路实时获取励磁电流的直流分量和交流分量；基于所述励磁电流的直流分量和交流分量，通过杂散电流交流分量的表达式，计算杂散电流的幅值；基于杂散电流的幅值和电流方向，通过IIR滤波器和快速傅里叶分析，得到杂散电流的相量值；所述杂散电流交流分量的表达式为：，其中，D表示激励电压的占空比；Ip表示杂散电流交流分量；Rc和RS分别表示激励绕组内阻和采样电阻；在时间段，磁芯C1工作在磁化曲线的负向饱和区，VH表示为： ； 在时间段，磁芯C1工作在磁化曲线的线性区，VH表示为： ， 在时间段，磁芯C1工作在正向饱和区，VH表示为： ， 其中，is表示激励电流，l表示磁芯C1工作在磁化曲线的负向饱和区时激励绕组的自感；L表示磁芯C1工作在磁化曲线的线性区时激励绕组的自感；Tp为激励电压正向峰值的持续时间； 所述基于实时激励电压占空比，判断杂散电流交流分量的电流方向包括：若激励电压占空比等于50%，则杂散电流为零；若激励电压占空比小于50%且大于零，则杂散电流的电流方向为正；若激励电压占空比大于50%，则杂散电流的电流方向为负。

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