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龙图腾网获悉上海郑璞金属材料有限公司;郑州欣昌新材料有限公司申请的专利一种高纯度溅射靶材生产工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121046794B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511574104.8，技术领域涉及：C23C14/34；该发明授权一种高纯度溅射靶材生产工艺是由柴兴臣;崔程明;柴家栋;李卫杰;许亚洲;姜键宁;李建宗;张庭杰;李航杰;宋超杰;曹克道;陈文斌设计研发完成，并于2025-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高纯度溅射靶材生产工艺在说明书摘要公布了：一种高纯度溅射靶材生产工艺，属于半导体材料和薄膜沉积技术领域，采用防氧化提纯、铜基适配热等静压、梯度晶粒调控、界面匹配焊接、防氧化后处理等一系列步骤，充分强化铜材的特性，针对性解决缺陷，获得适用于12英寸级以上半导体芯片互连层、液晶显示器电极层沉积所需的6N级高纯度铜基溅射靶材，实现高性能铜基溅射靶材的规模化、稳定化生产。

本发明授权一种高纯度溅射靶材生产工艺在权利要求书中公布了：1.一种高纯度溅射靶材生产工艺，其特征在于，包括以下步骤： 1原料防氧化提纯：选用4N级电解铜，经离子电解精炼得到5N5级铜锭，再经99.999%高纯CO保护的区域熔炼，得到6N级铜原料，其中，所述的离子电解采用的电解液为含0.5wt%苯酚抗氧剂的CuCl2-EMIMCl，电解电压2.7±0.2V、阴极电流密度170±10Am2、温度85±5℃，处理后得到的5N5级铜锭中氧含量≤90ppm； 2铜基靶坯热等静压成型：6N铜原料加工成Φ250±5mm棒料，真空包装后进行热等静压，得到致密度≥99.95%的铜基靶坯； 3梯度热处理：铜基靶坯经700±10℃均质化1.5h，然后通过阶梯式降温来控制晶粒度生长，实现晶粒度60~70μm，最大与最小晶粒差值≤8μm，111织构占比≥90%，其中，阶梯式降温具体为：先以50℃h的速率降温至400±10℃，保温4h；再以20℃h的速率降温至150±10℃，保温2h；最终空冷至室温； 4靶材-背板界面匹配扩散焊接：选用TU1级无氧铜背板，预处理后与铜基靶坯装配，在真空扩散焊机中以600±20℃、压力40±5MPa焊接1.2h，阶梯降温，界面结合强度≥85MPa； 5精密加工与防氧化后处理：铜基靶材溅射面磨削至Ra≤0.05μm、平面度≤0.02mm，经3wt%铬酐溶液钝化后，充Ar气密封包装，得到高纯度铜基溅射靶材成品。

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