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龙图腾网获悉南通威森新能源科技有限公司申请的专利一种沟槽栅场效应晶体管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121035093B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511546045.3，技术领域涉及：H10W70/40；该发明授权一种沟槽栅场效应晶体管及其制造方法是由苏建华设计研发完成，并于2025-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种沟槽栅场效应晶体管及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体器件技术领域，尤其涉及一种沟槽栅场效应晶体管，包括矩形盒体和盖板，所述盒体上下为开口设置，且四周内壁上固定连接有绝缘框，所述绝缘框四周内壁且靠近上端位置共同固定胶粘有绝缘板如上所述的一种沟槽栅场效应晶体管的制造方法，所述制造方法包括：S1、制作第一组合体、第二组合体，P型衬底、N型半导体和衬底延伸片共同构成第一组合体，绝缘框、绝缘板、铝制基片和引脚连接件共同构成第二组合体。优点在于：本发明无需进行热锡焊接，简化了以往场效应晶体管组装步骤，组装工作简单迅速，提高了场效应晶体管的生产效率。

本发明授权一种沟槽栅场效应晶体管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种沟槽栅场效应晶体管，包括矩形盒体1和盖板2，其特征在于，所述盒体1上下为开口设置，且四周内壁上固定连接有绝缘框3，所述绝缘框3四周内壁且靠近上端位置共同固定胶粘有绝缘板4，所述盒体1内且在绝缘板4下方设有P型衬底5，所述P型衬底5为矩形且与绝缘框3四周内壁胶粘连接，所述P型衬底5上端与绝缘板4下端相抵且开设有两个左右间隔设置的沟槽6，两个所述沟槽6内均设有N型半导体7，所述绝缘板4上端且在两个沟槽6的位置均开设有矩形口，两个所述矩形口内均放置有下端与N型半导体贴合的铝制基片8，两个所述铝制基片8上端和两个矩形口之间的绝缘板4上端位置均设有引脚连接件11，所述引脚连接件11包括铝制的固定块，所述固定块与对应的铝制基片8和绝缘板4固定连接，所述固定块上端固定连接有C型的定位夹板，所述定位夹板内插设有连接插片12，所述连接插片12与对应的定位夹板之间通过第二螺钉13固定连接，各所述连接插片12后端均固定连接有连接引脚15，所述盒体1后端开设有三个引脚槽14，三个所述连接引脚15分别贯穿三个引脚槽14设置； 所述盒体1前端壁厚度大于其余三侧壁厚度，所述盒体1上端且靠近前端的位置开设有两个左右间隔设置的插槽17，所述盒体1左右两端均开设有与对应插槽17连通的插孔20，所述盖板2下端固定连接有两个与插槽17位置对应且大小相匹配的插块18，两个所述插块18上均横向开设有与插孔20大小相同的通孔19。

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