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龙图腾网获悉佛山市博顿光电科技有限公司;中山市博顿光电科技有限公司申请的专利离子束刻蚀方法、装置、真空刻蚀机、计算机设备及介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121034928B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511554182.1，技术领域涉及：H01J37/304；该发明授权离子束刻蚀方法、装置、真空刻蚀机、计算机设备及介质是由黄裕翔;冀鸣;刘伟基设计研发完成，并于2025-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本离子束刻蚀方法、装置、真空刻蚀机、计算机设备及介质在说明书摘要公布了：本申请涉及真空刻蚀技术领域，具体是一种离子束刻蚀方法、装置、真空刻蚀机、计算机设备及介质，所述方法包括：获取样品刻蚀的目标几何形状及加工需求信息，其中，所述加工需求信息包括目标刻蚀深度、入射角范围和均匀性误差信息；根据所述加工需求信息获取目标刻蚀工艺参数；其中，所述目标刻蚀工艺参数包括：目标入射角、目标工作距离和刻蚀均匀性参数；根据所述目标几何形状、目标刻蚀工艺参数及运动控制函数规划离子源和或样品台的运动轨迹；在扫描刻蚀过程中依据所述运动轨迹控制所述离子源和或样品台进行运动；该技术方案，可以实现高均匀性刻蚀加工。

本发明授权离子束刻蚀方法、装置、真空刻蚀机、计算机设备及介质在权利要求书中公布了：1.一种离子束刻蚀方法，其特征在于，包括： 获取样品刻蚀的目标几何形状及加工需求信息，其中，所述加工需求信息包括目标刻蚀深度、入射角范围和均匀性误差信息； 根据所述加工需求信息获取目标刻蚀工艺参数；其中，所述目标刻蚀工艺参数包括：目标入射角、目标工作距离和刻蚀均匀性参数； 根据所述目标几何形状、目标刻蚀工艺参数及运动控制函数规划离子源和或样品台的运动轨迹；具体包括： 根据所述目标几何形状获取样品表面的曲面方程，并根据所述曲面方程计算样品表面的各个离散点上的法向量； 根据离子源的发射点坐标、样品表面的离散点坐标及法向量确定离子源与样品台相对运动的入射角公式和入射距离公式； 其中，所述入射角公式包括： ； ； 所述入射距离公式包括： ； 其中，表示入射角，表示离子源的发射点坐标，表示样品表面的离散点坐标，表示样品表面的法向量，表示入射方向矢量，表示入射距离； 根据所述目标刻蚀工艺参数及所述入射角公式和入射距离公式生成运动控制函数，并计算离子源和或样品台的运动轨迹； 其中，所述运动控制函数包括： 若样品台耦合运动，样品表面各个离散点依次满足函数：,；其中，符号“→”表示接近于，t表示时刻点，表示t时刻的入射角，表示目标入射角，表示t时刻的工作距离，表示目标工作距离； 若控制离子源转动，所述离子源绕中心转动或者绕样品台摆动的转动角度满足；其中，表示旋转角度； 在扫描刻蚀过程中依据所述运动轨迹控制所述离子源和或样品台进行运动。

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