西安交通大学;国网江苏省电力有限公司电力科学研究院林启敬获国家专利权
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龙图腾网获悉西安交通大学;国网江苏省电力有限公司电力科学研究院申请的专利一种压电-压阻耦合式电场传感器的敏感单元结构及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121027632B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511550712.5，技术领域涉及：G01R29/08；该发明授权一种压电-压阻耦合式电场传感器的敏感单元结构及应用是由林启敬;朱震;孟庆之;胡妍婕;胡成博;董祚宏;王永帅;仙丹;姚坤;杨萍;蒋庄德设计研发完成，并于2025-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种压电-压阻耦合式电场传感器的敏感单元结构及应用在说明书摘要公布了：一种压电‑压阻耦合式电场传感器的敏感单元结构及应用，包括基底，所述基底上设有悬臂梁结构，悬臂梁结构下表面与基底上表面之间键合有压电晶体块，悬臂梁结构上表面设置有惠斯通全桥结构；当压电晶体块受到电场作用时，在逆压电效应的作用下，压电晶体块沿Z轴方向产生形变，使得悬臂梁结构发生变形；惠斯通全桥结构中，布置在应力差值最大位置的电阻受力产生形变，电阻的受力方向相反，电阻阻值大小变化相反；相较于目前常用的电光式、机械式等电场传感器敏感单元结构具有更大的量程、体积更小、功耗更低和易于量产的优势。
本发明授权一种压电-压阻耦合式电场传感器的敏感单元结构及应用在权利要求书中公布了：1.一种压电-压阻耦合式电场传感器的敏感单元结构，包括基底4，其特征在于，所述基底4上设有悬臂梁结构1，悬臂梁结构1下表面与基底4上表面之间键合有压电晶体块3，悬臂梁结构1上表面设置有惠斯通全桥结构2，所述压电晶体块3在电场作用下通过逆压电效应产生Z轴向应变，应变传导至悬臂梁结构1使悬臂梁结构1产生弯曲形变，惠斯通全桥结构2输出与弯曲应变成正比的差分电压信号，实现电场-电信号转换；所述悬臂梁结构1采用单晶SOI一体刻蚀成型双端固支梁，悬臂梁结构1的两边的固定端12由单晶SOI片的底硅层刻蚀而成，悬臂梁结构1两边固定端12之间的梁主体11由单晶SOI片的顶硅层刻蚀而成。
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