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龙图腾网获悉北京晶格领域半导体有限公司申请的专利一种能去除残留液滴的液相法生长碳化硅的装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121023647B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511563452.5，技术领域涉及：C30B29/36；该发明授权一种能去除残留液滴的液相法生长碳化硅的装置及方法是由张广宇;张泽盛设计研发完成，并于2025-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种能去除残留液滴的液相法生长碳化硅的装置及方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种能去除残留液滴的液相法生长碳化硅的装置及方法，属于碳化硅晶体生产技术领域。所述装置包括坩埚主体、具有开口的坩埚盖、籽晶杆和设置在坩埚主体和坩埚盖之间的由石墨软毡制成的液滴去除部件；石墨软毡在中心位置设置有十字交叉切割结构；籽晶杆的一端连接有籽晶托，籽晶托上连接有籽晶，籽晶杆连接籽晶托的一端依次通过开口和十字交叉切割结构伸入坩埚主体的内部；在液相法生长碳化硅晶体结束后，籽晶杆能够带动碳化硅晶体穿过液滴去除部件，并与液滴去除部件上表面进行接触旋转以去除残留液滴；所述装置还包括用于判断碳化硅晶体的位置的监测系统。本发明装置结构紧凑、成本低、操作简便，可高效去除晶体表面残留液滴。

本发明授权一种能去除残留液滴的液相法生长碳化硅的装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种能去除残留液滴的液相法生长碳化硅的装置，其特征在于： 所述装置包括坩埚主体、具有开口的坩埚盖、籽晶杆和设置在坩埚主体与坩埚盖之间的液滴去除部件； 所述液滴去除部件由石墨软毡制成，所述石墨软毡在中心位置沿径向设置有十字交叉切割结构；所述石墨软毡的厚度为5~10mm； 所述籽晶杆的一端连接有籽晶托，所述籽晶托上连接有籽晶，所述籽晶杆连接有籽晶托的一端依次穿过坩埚盖的开口和液滴去除部件的十字交叉切割结构伸入坩埚主体的内部；所述十字交叉切割结构的切割长度大于所述籽晶托的直径； 所述装置还包括用于判断碳化硅晶体的位置的监测系统，所述监测系统为重力监测系统，所述重力监测系统配置在单晶炉与所述籽晶杆的连接处，通过籽晶杆的受力变化判断碳化硅晶体的位置； 在液相法生长碳化硅晶体结束后，所述籽晶杆能够带动碳化硅晶体穿过液滴去除部件，并与液滴去除部件上表面进行接触旋转以去除残留液滴，包括如下子步骤： S1、提拉籽晶杆使得碳化硅晶体拉脱高温熔体，拉脱的判断依据为：重力监测系统显示的受力示数减小，并将该受力示数设置为零点； S2、继续向上提拉籽晶杆直至重力监测系统显示的受力示数由零点变为负数且负数对应的绝对值持续增大，随后至回归为零点时停止籽晶杆向上移动，此时碳化硅晶体已经穿过液滴去除部件； S3、下降籽晶杆直至重力监测系统显示的受力示数开始变为正数后继续下降1~3mm，使得碳化硅晶体与液滴去除部件上表面接触； S4、旋转籽晶杆带动碳化硅晶体与液滴去除部件上表面进行接触旋转以去除残留液滴；所述接触旋转的转速为5~15rpm。

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