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龙图腾网获悉柔电(武汉)科技有限公司申请的专利一种基于分阶段参数优化在多孔碳中多批次负压沉积硅的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121006521B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511545845.3，技术领域涉及：C23C16/24；该发明授权一种基于分阶段参数优化在多孔碳中多批次负压沉积硅的方法是由吴欣蓓;肖翌;张宣宣;许伯军;陈继光设计研发完成，并于2025-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于分阶段参数优化在多孔碳中多批次负压沉积硅的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于分阶段参数优化在多孔碳中多批次负压沉积硅的方法，涉及多孔材料表面与孔隙内气相沉积技术领域。本发明提出在负压条件下，根据沉积进程调整单批气量、惰性气比例、压力及温度控制沉积速率，分阶段优化通入硅烷。工艺流程为：前期通入低气量加惰性气体稀释，延缓孔口堵塞，中期提高气量，加速内层填充，后期降低气量或温度，避免外表面过沉积，适用于以微孔为主，介孔为辅的多孔碳材料在负压条件下进行多批次沉积硅及其氧化物的工艺优化方法及配套系统。

本发明授权一种基于分阶段参数优化在多孔碳中多批次负压沉积硅的方法在权利要求书中公布了：1.一种基于分阶段参数优化在多孔碳中多批次负压沉积硅的方法，其特征在于，包括： S1.将多孔碳材料置于真空反应腔内，抽真空至0.01-0.05torr，并加热至目标沉积温度的60-90%； S2.在负压条件下分三阶段进行多批次通入含硅烷的混合气体沉积Si，按阶段设定各阶段各批次通入硅烷的物质的量和各阶段通入硅烷的总量，每批通入的混合气体还含惰性气体，每批通入的惰性气体的质量为硅烷的一半，加热并保压反应，每批次反应完成后均抽真空至初始压力0.01-0.05torr； S3．当设定硅烷全部通入时终止沉积； 所述目标沉积温度为400-600℃； 所述多孔碳材料中微孔占总孔容为≥80%；介孔占总孔容为≤20%，通入硅烷的总质量为多孔碳材料质量的98%~102%，所述三阶段包括前期阶段、中期阶段、后期阶段，前期每批次通入混合气体裂解后反应腔压强均不超过0.5atm，前期通入硅烷质量为硅烷总质量的不大于20%，中期每批次通入混合气体裂解后反应腔压强均不超过1.5atm，中期通入硅烷质量为硅烷总质量的70~90%，后期每批次通入混合气体裂解后反应腔压强均不超过3.0atm，后期通入硅烷质量为硅烷总质量的5~10%。

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