新美光(苏州)半导体科技有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉新美光(苏州)半导体科技有限公司申请的专利单晶硅生长装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120967491B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511469282.4，技术领域涉及：C30B15/00；该发明授权单晶硅生长装置是由请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2025-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本单晶硅生长装置在说明书摘要公布了：本发明涉及一种单晶硅生长装置，包括：坩埚；侧部加热器，其包括多个加热片；多个加热片沿坩埚的周向依次分布，以形成包围腔，坩埚插设于包围腔中；通过调节加热片的位置，以调节包围腔的横向尺寸。本发明的单晶硅生长装置，对侧部加热器的结构进行优化，能够适配不同规格的坩埚，无需更换侧部加热器。
本发明授权单晶硅生长装置在权利要求书中公布了：1.一种单晶硅生长装置，其特征在于，所述单晶硅生长装置100包括： 坩埚1； 侧部加热器2，其包括多个加热片21；多个所述加热片21沿所述坩埚1的周向依次分布，以形成包围腔22，所述坩埚1插设于所述包围腔22中；通过调节所述加热片21的位置，以调节所述包围腔22的横向尺寸； 底部加热器3，其位于所述坩埚1的下方；所述底部加热器3通过发生运动，以在工作位置和收纳位置之间切换； 导气孔4，其进气端位于所述坩埚1的下方的底部热场5中； 其中，当所述底部加热器3处于工作位置时，所述底部加热器3位于所述底部热场5中；当所述底部加热器3朝向收纳位置运动时，所述底部加热器3沿远离所述底部热场5的方向运动，以远离所述导气孔4。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人新美光(苏州)半导体科技有限公司，其通讯地址为：215200 江苏省苏州市工业园区群星三路10-2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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