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龙图腾网获悉上海川土微电子股份有限公司申请的专利一种高维持电压双向高压ESD结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120957495B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511480916.6，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权一种高维持电压双向高压ESD结构是由郑瑞;沈国平;陈东坡设计研发完成，并于2025-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高维持电压双向高压ESD结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高维持电压双向高压ESD结构，包括注入于基底内的第一N型深well掺杂类型阱区、第一N型well掺杂类型阱区以及两第一P型高压掺杂类型阱区、两对应注入于第一P型高压掺杂类型阱区内的第一P型well掺杂类型阱区；每一第一P型well掺杂类型阱区的顶端均形成有互相隔离第一N型重掺杂有源区和第一P型重掺杂有源区，且第一N型重掺杂有源区和第一P型重掺杂有源区均被金属线引出；还包括N型埋层，N型埋层注入于基底内，并位于第一N型深well掺杂类型阱区、两第一P型高压掺杂类型阱区的下方，且第一N型深well掺杂类型阱区的底端和N型埋层的顶端接触。本发明通过切断区域改变了寄生NPN的电流路径，至少提高了维持电压，有效避免了闩锁效应。

本发明授权一种高维持电压双向高压ESD结构在权利要求书中公布了：1.一种高维持电压双向高压ESD结构，包括注入于基底内的第一N型深well掺杂类型阱区、位于所述第一N型深well掺杂类型阱区上方的第一N型well掺杂类型阱区，以及位于所述第一N型well掺杂类型阱区两侧的两第一P型高压掺杂类型阱区、两对应注入于所述第一P型高压掺杂类型阱区内的第一P型well掺杂类型阱区；每一所述第一P型well掺杂类型阱区的顶端均形成有互相隔离第一N型重掺杂有源区和第一P型重掺杂有源区，且所述第一N型重掺杂有源区和所述第一P型重掺杂有源区均被金属线引出； 其特征在于，还包括N型埋层，所述N型埋层注入于所述基底内，并位于所述第一N型深well掺杂类型阱区、两所述第一P型高压掺杂类型阱区的下方，且所述第一N型深well掺杂类型阱区的底端和所述N型埋层的顶端接触； 其中，所述N型埋层的中部形成有切断区域，所述切断区域位于所述第一N型深well掺杂类型阱区的下方，用于将所述高维持电压双向高压ESD结构中的电流路径转向横向的寄生NPN，并抑制垂直寄生NPN的导通。

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