中国科学院西安光学精密机械研究所俱沛获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中国科学院西安光学精密机械研究所申请的专利基于沉积-注入动态循环工艺的片上增益波导制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120949382B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511193268.6，技术领域涉及：G02B6/134；该发明授权基于沉积-注入动态循环工艺的片上增益波导制备方法是由俱沛;于志远;张文富设计研发完成，并于2025-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于沉积-注入动态循环工艺的片上增益波导制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种基于沉积‑注入动态循环工艺的片上增益波导制备方法，本方案通过结合薄膜生长和常规离子注入设备，便可实现高深度离子注入效果，克服了离子注入对高能离子注入设备的依赖，降低了制备设备要求和生产成本，在大批量生产方面易于扩展；另外，通过依次进行退火工艺处理、光刻工艺处理及刻蚀工艺处理的过程，在简化制备流程的同时，还可有效缓解了高通量离子注入导致的波导形变以及高温退火产生的薄膜收缩效应，可提升波导结构形貌质量，降低光散耗。
本发明授权基于沉积-注入动态循环工艺的片上增益波导制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于沉积-注入动态循环工艺的片上增益波导制备方法，其特征在于，所述方法包括： 采用薄膜生产工艺在经过清洗及抛光的衬底上生长预设厚度的光学波导材质薄膜，再采用离子注入工艺通过常规离子注入设备将待注入离子注入至新生长的所述光学波导材质薄膜中，得到注入离子后的当前薄膜；其中，所述预设厚度小于预设总薄膜生长厚度，所述常规离子注入设备的当前离子注入能量小于百万电子伏特； 将上述步骤重复执行沉积-注入动态循环工艺对应的预设循环次数，直至达到目标离子注入深度为止，得到注入离子后的目标薄膜；其中，所述目标离子注入深度与所述预设总薄膜生长厚度的值相同，所述预设循环次数是根据所述预设厚度与所述预设总薄膜生长厚度确定的；所述沉积-注入动态循环工艺包括所述薄膜生产工艺和所述离子注入工艺，且所述薄膜生产工艺和所述离子注入工艺交替进行； 对所述注入离子后的目标薄膜依次进行退火工艺处理、光刻工艺处理及刻蚀工艺处理，制备得到当前片上增益波导； 对所述当前片上增益波导进行剥离和清洗工艺处理后沉积覆盖层，制备得到目标片上增益波导。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院西安光学精密机械研究所，其通讯地址为：710119 陕西省西安市高新区新型工业园信息大道17号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励