阜阳师范大学周亚亚获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉阜阳师范大学申请的专利一种轴向微柱阵列异质结光电探测器芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120936225B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511453564.5，技术领域涉及：H10K71/00；该发明授权一种轴向微柱阵列异质结光电探测器芯片及其制备方法是由周亚亚;马艺冰设计研发完成，并于2025-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种轴向微柱阵列异质结光电探测器芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体光电子器件与微纳加工技术领域，具体涉及一种轴向微柱阵列异质结光电探测器芯片及其制备方法。具体方法为在带有底电极的衬底上，依次旋涂并经热处理形成钙钛矿层和有机半导体层；在有机半导体层上依次旋涂牺牲层和UV胶层；利用带有微孔阵列的PDMS弹性模板对UV胶层进行压印，经紫外曝光固化后移除模板，得到UV胶微柱阵列；通过氧气等离子体刻蚀形成UV胶微孔阵列掩模，并将图形转移至牺牲层；蒸镀金属层后经剥离工艺，在有机半导体层表面形成金属点阵掩模；以金属点阵掩模为刻蚀掩模，采用不同刻蚀气体进行两步ICP反应离子刻蚀，依次刻蚀有机半导体层和钙钛矿层，直至暴露底电极，最终形成轴向微柱阵列异质结。
本发明授权一种轴向微柱阵列异质结光电探测器芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种轴向微柱阵列异质结光电探测器芯片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： S1.在预处理过的衬底上制备底电极； S2.在底电极表面通过旋涂和退火依次制备钙钛矿层和有机半导体层； S3.在有机半导体层表面通过旋涂依次制备牺牲层与UV胶层； S4.通过微孔阵列的聚二甲基硅氧烷模板对UV胶层进行压印，光固化后得到UV胶微柱阵列； S5.通过干法刻蚀工艺以UV胶微柱阵列为掩模，对牺牲层进行刻蚀，直至露出有机半导体层的表面，即得牺牲层微孔阵列； S6.采用电子束蒸镀技术，在整个结构表面蒸镀金属层；随后剥离牺牲层微孔阵列，得到金属点阵； S7.以金属点阵为掩模，采用两步刻蚀，分别去除有机半导体层与钙钛矿层的非掩模区域，形成轴向异质结微柱阵列；采用刻蚀液去除金属点阵，即得所述轴向微柱阵列异质结光电探测器芯片。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人阜阳师范大学，其通讯地址为：236000 安徽省阜阳市颍州区清河西路100号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励