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龙图腾网获悉上海海栎创科技股份有限公司申请的专利高鲁棒性的ESD保护器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120916487B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511446339.9，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权高鲁棒性的ESD保护器件是由杨兆年;龙腾;卢昌鹏设计研发完成，并于2025-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本高鲁棒性的ESD保护器件在说明书摘要公布了：本发明提供高鲁棒性的ESD保护器件，包括：衬底，衬底的表面并列覆盖N型阱层和P型阱层；N型阱层上覆盖第一P型掺杂层和第二P型掺杂层，P型阱层上覆盖第一N型掺杂层、第二N型掺杂层和第三P型掺杂层；第一N型掺杂层靠近第二P型掺杂层，且第一N型掺杂层与第二N型掺杂层之间设有间隔区；第一P型掺杂层与第二P型掺杂层之间设有第一沟槽；第二P型掺杂层与第一N型掺杂层之间设有第二沟槽；N型阱层内设有齐纳掺杂层，齐纳掺杂层位于第一沟槽及第二沟槽之间。通过齐纳触发和NMOS辅助放电的SCR结构，实现了更低的触发电压、适中的保持电压和更高的单位面积鲁棒性，有效解决传统ESD器件性能不足问题。

本发明授权高鲁棒性的ESD保护器件在权利要求书中公布了：1.高鲁棒性的ESD保护器件，其特征在于，包括： 衬底； 所述衬底的表面并列覆盖N型阱层和P型阱层； 所述N型阱层上覆盖第一P型掺杂层和第二P型掺杂层，所述P型阱层上覆盖第一N型掺杂层、第二N型掺杂层和第三P型掺杂层；所述第一N型掺杂层靠近所述第二P型掺杂层，且所述第一N型掺杂层与所述第二N型掺杂层之间设有间隔区，所述间隔区上设有栅极结构； 所述第一P型掺杂层与所述第二P型掺杂层之间设有第一沟槽；所述第二P型掺杂层与所述第一N型掺杂层之间设有第二沟槽；所述第二N型掺杂层与所述第三P型掺杂层之间设有第三沟槽； 所述N型阱层内设有齐纳掺杂层，所述齐纳掺杂层位于所述第一沟槽及第二沟槽之间； 所述第一P型掺杂层与所述一N型掺杂层通过金属连接线共同连接至阳极； 所述第二P型掺杂层、所述栅极结构、所述第二N型掺杂层和所述第三P型掺杂层通过金属连接线共同连接至阴极； 所述第二P型掺杂层及所述齐纳掺杂层形成齐纳二极管； 所述第一P型掺杂层与所述N型阱层构成阳极二极管； 所述第一P型掺杂层、所述N型阱层及所述P型阱层构成寄生PNP晶体管； 所述N型阱层、所述P型阱层及所述第二N型掺杂层构成第一寄生NPN晶体管； 所述的寄生PNP晶体管与所述第一寄生NPN晶体管构成SCR结构； 所述第一N型掺杂层、所述第二N型掺杂层及所述P型阱层构成第二寄生NPN晶体管； 所述阳极二极管与所述齐纳二极管构成触发路径； 所述SCR结构构成主放电路径； 所述第二寄生NPN晶体管构成辅助放电路径。

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